[發明專利]非易失性存儲元件

無效

• 申請號: 200980148165.0
• 申請日: 2009-12-01
• 公開（公告）號: CN102227809A
• 公開（公告）日: 2011-10-26
• 發明（設計）人: 神澤好彥;三谷覺;魏志強;高木剛;片山幸治
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L27/10
• 分類號: H01L27/10;H01L45/00;H01L49/00
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種非易失性存儲元件，其特征在于，具備：

第一電極；

第二電極；和

電阻變化層，其配置在所述第一電極和所述第二電極之間，基于施加于所述第一電極和所述第二電極之間的電信號，電阻值可逆地變化，

所述電阻變化層含有氧不足型過渡金屬氧化物，該氧不足型過渡金屬氧化物是過渡金屬的氧化物，是與具有化學計量學組成的氧化物相比、作為原子比的氧的含量較少的氧化物，

所述第一電極和所述第二電極中的至少一個具有含有鉑的含鉑層，

所述電阻變化層至少具備不與所述含鉑層物理接觸的第一氧不足型過渡金屬氧化物層和配置在所述第一氧不足型過渡金屬氧化物層與所述含鉑層之間的、與所述含鉑層物理接觸的第二氧不足型過渡金屬氧化物層，

將所述第一氧不足型過渡金屬氧化物層中所含的氧不足型過渡金屬氧化物表示為MO_x、將所述第二氧不足型過渡金屬氧化物層中所含的氧不足型過渡金屬氧化物表示為MO_y時，

滿足x＜y，

所述含鉑層的膜厚為1nm以上、23nm以下，與所述電阻變化層物理接觸。

2.如權利要求1或2所述的非易失性存儲元件，其特征在于：

所述過渡金屬是鉭。

3.如權利要求1或2所述的非易失性存儲元件，其特征在于：

所述含鉑層的膜厚為1nm以上、10nm以下。