[發明專利]超高多路分析系統和方法

有效

• 申請號: 200980148101.0
• 申請日: 2009-09-25
• 公開（公告）號: CN102227659A
• 公開（公告）日: 2011-10-26
• 發明（設計）人: D·扎卡里;P·倫奎斯特;P·趙;鐘誠;S·特納;黃雁樵;P·莫納德杰米;R·薩克希納;A·格羅特;A·魯利森
• 申請（專利權）人: 加利福尼亞太平洋生物科學股份有限公司
• 主分類號: G02B6/12
• 分類號: G02B6/12;G01N21/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 劉佳

1.一種包含微型鏡陣列的基片，其中每個微型鏡包含零模式波導。

2.一種微型鏡陣列，其包含：

a)具有上表面的透明基片，該上表面包含多個特征的陣列，其中所述特征的頂部和側部包含反射涂層；和

b)通過該反射涂層延伸的孔隙的陣列，其中每個特征的頂部包含至少一個孔隙，其中特征陣列的壁上的反射涂層使從孔隙陣列中射出的光線轉向。

3.如權利要求2所述的微型鏡陣列，其特征在于，所述特征包括拋物面形、圓錐形或角錐形。

4.如權利要求2所述的微型鏡陣列，其特征在于，所述特征包括截短的圓錐形。

5.如權利要求2所述的微型鏡陣列，其特征在于，所述特征包含具有頂部的截短圓錐，所述頂部的直徑介于約0.5微米-約5微米之間。

6.如權利要求2所述的微型鏡陣列，其特征在于，所述特征包含具有頂部的截短圓錐，所述頂部的直徑介于約1.5微米-約4微米之間。

7.如權利要求2所述的微型鏡陣列，其特征在于，所述特征包含具有頂部的截短圓錐，所述頂部的直徑介于約2微米-約3微米之間。

8.如權利要求2所述的微型鏡陣列，其特征在于，所述特征包含截短的圓錐，所述圓錐距離垂直的側壁角度介于5度-40度之間。

9.如權利要求2所述的微型鏡陣列，其特征在于，所述特征包含截短的圓錐，所述圓錐距離垂直的側壁角度介于10度-30度之間。

10.一種位于具有頂表面和底表面的透明基片的頂表面上的零模式波導陣列，其中該透明基片包含微型鏡陣列，其中每個微型鏡使得從所述零模式波導射出的離開所述透明基片底表面的光線轉向。

11.一種檢測零模式波導陣列中的分子事件的系統，該系統包含：

a)布置在具有頂表面和底表面的透明基片的頂表面上的零模式波導陣列，其中所述透明基片包含用于使光線轉向所述零模式波導的微型鏡陣列；和

b)通過所述透明基片的底表面對所述零模式波導提供照射光束的照射系統；

其中將所述系統設置成所述微型鏡與所述照射光束相互作用從而所述照射光束經歷相長干涉，藉此所述零模式波導處的光的強度相對于其它照射區域增加了。

12.一種產生包含微型鏡陣列的基片的方法，其中每個微型鏡與零模式波導相關聯，所述方法包括：

a)提供具有頂表面的透明基片；

b)使該透明基片形成圖案并作蝕刻以形成具有頂部和側部的突起陣列；

c)沉積包覆材料以使所述突起的頂部包含包覆層；

d)通過該包覆層形成孔隙陣列以使每個突起的頂部包含孔隙；和

e)沉積反射沉積材料以使每個突起的側部包含反射層；藉此該突起陣列包含微型鏡陣列，而每個突起的頂部的孔隙包含零模式波導。

13.如權利要求12所述的方法，其特征在于，使透明基片形成圖案并作蝕刻的步驟b)是在沉積包覆材料和形成孔隙陣列的步驟c)和d)之后進行的。

14.如權利要求12所述的方法，其特征在于，沉積包覆材料和形成孔隙陣列的步驟c)和d)是在使透明基片形成圖案并作蝕刻的步驟b)之后進行的。

15.如權利要求12所述的方法，其特征在于，所述透明基片包含二氧化硅基材料。

16.如權利要求12所述的方法，其特征在于，所述透明基片包含熔凝二氧化硅。

17.如權利要求12所述的方法，其特征在于，所述包覆材料包含鋁。

18.如權利要求12所述的方法，其特征在于，所述反射沉積材料包含鋁。

19.如權利要求12所述的方法，其特征在于，蝕刻透明基片包括活性離子蝕刻方法。

20.如權利要求12所述的方法，其特征在于，所述突起包括圓錐形、角錐形或拋物面形。

21.如權利要求12所述的方法，其特征在于，所述突起包括截短的圓錐形。

22.如權利要求21所述的方法，其特征在于，截短圓錐頂部的直徑介于1微米和10微米之間。