[發明專利]層狀元件和包含這種元件的光電裝置有效
| 申請號: | 200980147725.0 | 申請日: | 2009-12-03 |
| 公開(公告)號: | CN102227815B | 公開(公告)日: | 2017-10-31 |
| 發明(設計)人: | F·利納爾;E·施特爾斯;E·馬埃 | 申請(專利權)人: | 法國圣戈班玻璃廠 |
| 主分類號: | G02B1/115 | 分類號: | G02B1/115;H01L31/0216;H01L31/048;H01L31/0445 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 黃念,林森 |
| 地址: | 法國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 層狀 元件 包含 這種 光電 裝置 | ||
1.層狀元件(10;110),其包含聚合物層(2;102)、水分敏感的導電層(4;104)和形成直接接觸地插入在該聚合物層和該水分敏感的導電層之間的水分阻擋層的保護涂層(3;103),特征在于該保護涂層(3;103)為在聚合物層和水分敏感的導電層之間的界面處提供減反射的減反射疊層,其中該減反射疊層連續地由以下組成:從水分敏感的導電層(4;104)朝著聚合物層(2;102)的方向,四個相對于彼此較低和較高折射率(n31,n32,n33,n34;n131,n132,n133,n134)交替的薄層(31,32,33,34;131,132,133,134)的連續疊層,它們為:
- 在550nm具有1.3-1.7的第一折射率(n31;n131)和具有15-35nm第一幾何厚度(e31;e131)的第一層(31;131),
- 在550nm具有1.8-2.3的第二折射率(n32;n132)和具有20-35nm第二幾何厚度(e32;e132)的第二層(32;132),
- 在550nm具有1.3-1.7的第三折射率(n33;n133)和具有5-20nm第三幾何厚度(e33;e133)的第三層(33;133),
- 在550nm具有1.8-2.3的第四折射率(n34;n134)和具有5-20nm第四幾何厚度(e34;e134)的第四層(34;134);或
兩個薄層的連續疊層,它們為:
- 在550nm具有1.45-1.48第一折射率和具有15-35nm第一幾何厚度的薄SiO2層,和
- 在550nm具有1.95-2.05第二折射率和具有10-30nm第二幾何厚度的薄Si3N4層。
2.根據權利要求1的層狀元件,特征在于所述層狀元件(10;110)用于光電裝置。
3.根據權利要求1的層狀元件,特征在于該保護涂層(3;103)的減反射疊層的每個薄層(31,32,33,34;131,132,133,134)的幾何厚度(e31,e32,e33,e34;e131,e132,e133,e134)進行調節使光線穿過該層狀元件(10;110)的透射最大化。
4.根據權利要求1-3任一項的層狀元件,特征在于保護涂層(3;103)的減反射疊層的每個薄層(31,32,33,34;131,132,133,134)是氧化物和/或氮化物層。
5.根據權利要求1-3任一項的層狀元件,特征在于保護涂層(3;103)為由至少三個薄層組成的減反射疊層,該減反射疊層的每對連續薄層的一個薄層的折射率與該對的另一薄層的折射率不同。
6.根據權利要求1-3任一項的層狀元件,特征在于保護涂層(3;103)的減反射疊層,從水分敏感的導電層(4;104)朝著聚合物層(2;102)方向,包含以下序列的層:
SiO2/Si3N4/SiO2/Si3N4。
7.根據權利要求1-3任一項的層狀元件,特征在于該保護涂層(3;103)的減反射疊層包含兩個其折射率從最靠近水分敏感的導電層(4;104)的層朝著最靠近聚合物層(2;102)的層的方向降低的薄層的連續疊層。
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