[發明專利]半導體基板、電子器件、及半導體基板的制造方法

無效

• 申請號: 200980147259.6
• 申請日: 2009-11-26
• 公開（公告）號: CN102227801A
• 公開（公告）日: 2011-10-26
• 發明（設計）人: 山中貞則;秦雅彥;高田朋幸
• 申請（專利權）人: 住友化學株式會社
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L21/02;H01L21/205;H01L21/331;H01L21/8222;H01L21/8234;H01L21/8248;H01L27/06;H01L27/08;H01L27/088;H01L27/12;H01L29/737
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種半導體基板，其特征在于，包括：

底板基板；

設置在所述底板基板上的晶種；

設置于所述晶種上方的化合物半導體；和

設置于所述晶種和所述化合物半導體之間、具有比所述晶種大的電阻率的高電阻層，

其中，所述晶種和所述化合物半導體晶格匹配或者準晶格匹配。

2.根據權利要求1所述的半導體基板，其特征在于，

在平行于所述底板基板的主面的方向上所述化合物半導體的晶格間距離與在平行于所述主面的方向上所述晶種的晶格間距離大致相同。

3.根據權利要求1所述的半導體基板，其特征在于，

所述高電阻層與所述晶種晶格匹配或準晶格匹配，所述化合物半導體與所述高電阻層晶格匹配或準晶格匹配。

4.根據權利要求1所述的半導體基板，其特征在于，

還包括形成于所述底板基板上、阻擋所述晶種的前體生長成為晶體的阻擋層，

形成有貫通所述阻擋層直至所述底板基板的開口；

所述晶種設置于所述開口的內部。

5.根據權利要求1所述的半導體基板，其特征在于，

所述晶種包含Si_xGe_1-x晶體，其中0≤x＜1。

6.根據權利要求1所述的半導體基板，其特征在于，

所述底板基板是Si基板、SOI基板、或GOI基板。

7.根據權利要求1所述的半導體基板，其特征在于，

所述高電阻層包含氧化物電介質。

8.根據權利要求7所述的半導體基板，其特征在于，

所述氧化物電介質是選擇性地氧化所述化合物半導體的一部分而形成的。

9.根據權利要求8所述的半導體基板，其特征在于，

所述氧化物電介質是氧化包含Al的III-V族化合物半導體而形成的。

10.根據權利要求1所述的半導體基板，其特征在于，

所述高電阻層包括：包含B的III-V族化合物半導體、或者摻雜了氧的包含Al的III-V族化合物半導體。

11.根據權利要求1所述的半導體基板，其特征在于，

所述晶種是p型半導體，所述化合物半導體是n型半導體，所述高電阻層是所述化合物半導體的耗盡層。

12.根據權利要求11所述的半導體基板，其特征在于，

所述晶種是高濃度的p型Ge，所述化合物半導體是低濃度的n型Al_yGa_1-yAs，其中0≤y≤1。

13.根據權利要求11所述的半導體基板，其特征在于，

所述晶種是低濃度p型SiGe，所述化合物半導體是低濃度n型In_zGa_1-zP，其中0≤z≤1。

14.根據權利要求1所述的半導體基板，其特征在于，

通過以下方式制造：

在所述底板基板上設置所述晶種、

使與所述晶種晶格匹配或準晶格匹配的前體層晶體生長、

使與所述前體層晶格匹配或準晶格匹配的所述化合物半導體晶體生長、以及

選擇性地氧化所述前體層而形成所述高電阻層。

15.根據權利要求14所述的半導體基板，其特征在于，

所述晶種包含Si_xGe_1-x晶體，其中0≤x＜1，

所述前體層包括包含Al的III-V族化合物半導體。

16.根據權利要求1所述的半導體基板，其特征在于，

通過如下方式而制造：

在所述底板基板上形成阻擋所述晶種的前體生長成為晶體的阻擋層，

在所述阻擋層上形成貫通所述阻擋層直至所述底板基板的開口，

將所述晶種設置于所述開口內部，

使與所述晶種晶格匹配或準晶格匹配的前體層晶體生長，

使與所述前體層晶格匹配或準晶格匹配的所述化合物半導體晶體生長，以及

選擇性地氧化所述前體層，形成所述高電阻層。