[發明專利]形成二極管的方法

有效

• 申請號: 200980147226.1
• 申請日: 2009-10-28
• 公開（公告）號: CN102224595A
• 公開（公告）日: 2011-10-19
• 發明（設計）人: 古爾特杰·S·桑胡;巴斯卡爾·斯里尼瓦桑
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種形成二極管的方法，其包括：

在第一導電材料上方形成堆疊；所述堆疊以從所述第一導電材料起的升序次序包含犧牲材料、至少一種電介質材料及第二導電材料；所述堆疊具有一對相對側壁；

沿所述相對側壁形成間隔件；

在形成所述間隔件之后，移除所述犧牲材料的整體以在所述第一導電材料與所述至少一種電介質材料之間留下間隙；且

其中所述第一導電材料、第二導電材料、至少一種電介質材料及間隙一起構成二極管。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述犧牲材料包括碳，且其中移除犧牲層包括利用O₂等離子體。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述犧牲材料包括二氧化硅，且其中所述移除所述犧牲層包括利用氫氟酸。

4.根據權利要求1所述的方法，其中利用原子層沉積形成所述犧牲材料，且將其形成為小于或等于約10埃的厚度。

5.一種形成多個二極管的方法，其包括：

在第一導電材料上方形成多個間隔開的特征；個別特征以從所述第一導電材料起的升序次序包含犧牲材料、至少一種電介質材料及第二導電材料；所述特征中的每一者具有包含分別包括所述犧牲材料、至少一種電介質材料及第二導電材料的段的側壁；

沿所述特征的所述側壁形成間隔件；

在形成所述間隔件之后，從所述特征移除所述犧牲材料的整體；且

其中已從中移除所述犧牲材料的所述特征連同所述第一導電材料一起構成多個二極管。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述形成所述特征包括：

在所述第一導電材料上方形成嵌段共聚物層；

誘發所述嵌段共聚物的自組裝以形成所述犧牲材料的與介入區域交替的區域，所述介入區域在所述犧牲材料的所述區域之間；

移除所述介入區域以使所述犧牲材料的所述區域保留在所述第一導電材料上方；

在所述犧牲材料的所述區域上方形成所述至少一種電介質材料及所述第二導電材料；及

將所述至少一種電介質材料及所述第二導電材料圖案化為僅在所述犧牲材料的所述區域上方。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述在所述犧牲材料的所述區域上方形成所述至少一種電介質材料及所述第二導電材料發生在所述移除所述介入區域之前，且其中所述圖案化所述至少一種電介質材料及所述第二導電材料包含從所述介入區域上方移除所述至少一種電介質材料及所述第二導電材料。

8.一種形成多個二極管的方法，其包括：

在第一導電材料上方形成犧牲材料；

在所述犧牲材料上方形成至少一種電介質材料；

在所述至少一種電介質材料上方形成第二導電材料；所述犧牲材料、至少一種電介質材料及第二導電材料一起形成堆疊；

將所述堆疊圖案化為多個間隔開的特征，所述特征中的每一者具有包含分別包括所述犧牲材料、至少一種電介質材料及第二導電材料的段的側壁；

沿所述特征的所述側壁形成間隔件；

在形成所述間隔件之后，從所述特征移除所述犧牲材料的整體；且

其中已從中移除所述犧牲材料的所述特征連同所述第一導電材料一起構成多個二極管。

9.一種形成多個二極管的方法，其包括：

在第一導電材料上方形成層；

以化學方式修飾所述層的至少一部分；在所述修飾之后，所述層包括散布于犧牲材料中的支撐件；

跨越所述層形成上覆材料，所述上覆材料包含至少一種電介質材料及在所述至少一種電介質材料上方的第二導電材料；

將所述層及上覆材料圖案化為多個間隔開的特征；

移除所述犧牲材料的整體，同時留下所述支撐件以至少部分地支撐所述上覆材料；且

其中已從中移除所述犧牲材料的所述特征連同所述第一導電材料一起構成多個二極管。

10.根據權利要求9所述的方法，其中：

所述層包括分散于所述犧牲材料中的粒子；

所述粒子包括第一組合物；且

其中所述化學修飾包括使所述粒子的至少表面與所述犧牲材料反應以將所述表面轉化成不同于所述第一組合物的第二組合物。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述第二組合物為電絕緣的。