[發明專利]濺射裝置、濺射方法和電子器件制造方法

有效

• 申請號: 200980147190.7
• 申請日: 2009-12-25
• 公開（公告）號: CN102227514A
• 公開（公告）日: 2011-10-26
• 發明（設計）人: 北田亨;渡邊直樹;長井基將
• 申請（專利權）人: 佳能安內華股份有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;H01F41/18;H01L43/08;H01L43/12
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 魏小薇

1.一種濺射裝置，其特征在于包括：

基板保持器，保持基板以使該基板能夠沿基板的處理面的面方向旋轉；

基板磁場形成裝置，被布置在基板周圍，用于在基板的處理面上形成磁場；

陰極，被布置在與基板斜向對置的位置處，并且接收放電功率；

位置檢測裝置，用于檢測基板的旋轉位置；和

功率控制裝置，用于根據由所述位置檢測裝置檢測的旋轉位置來控制向所述陰極施加的功率。

2.根據權利要求1的濺射裝置，其特征在于，所述基板磁場形成裝置能夠與基板同步地旋轉，并且形成沿基板的處理面具有方向特性的磁場。

3.根據權利要求1的濺射裝置，其特征在于，所述功率控制裝置基于基板的特定位置和所述陰極之間的位置關系來控制功率。

4.根據權利要求3的濺射裝置，其特征在于，基板上由于磁場的形成狀態導致濺射微粒的飛散量大的第一部分位于所述陰極附近時，所述功率控制裝置施加第一功率，并且，在濺射微粒的飛散量比第一部分處的濺射微粒的飛散量小的第二部分位于所述陰極附近時，所述功率控制裝置施加比第一功率高的第二功率。

5.根據權利要求3的濺射裝置，其特征在于，隨著第一部分接近所述陰極，所述功率控制裝置將輸入功率逐漸減小到第一功率，并且，隨著第二部分接近所述陰極，所述功率控制裝置將輸入功率逐漸增大到第二功率。

6.根據權利要求1的濺射裝置，其特征在于，所述功率控制裝置控制向所述陰極施加的功率，以便作為關于基板的旋轉角的正弦波函數而獲得功率值。

7.一種濺射方法，其特征在于包括：通過在沿基板的處理面的面方向旋轉基板并且在該處理面上形成磁場的同時向被布置在與基板斜向對置的位置處的陰極施加根據通過位置檢測裝置檢測的基板的旋轉位置而調整的功率，執行膜沉積。

8.根據權利要求7的濺射方法，其特征在于，磁性膜被沉積。

9.一種電子器件制造方法，其特征在于包括膜沉積步驟，通過在沿基板的處理面的面方向旋轉基板并且在該處理面上形成磁場的同時向被布置在與基板斜向對置的位置處的陰極施加根據通過位置檢測裝置檢測的基板的旋轉位置而調整的功率，通過濺射方法沉積膜。

10.根據權利要求1的濺射裝置，其特征在于還包括：

多個陰極，分別被布置在與基板斜向對置的位置處并且接收放電功率；

多個功率控制裝置，與各個所述陰極相應地被布置，各功率控制裝置用于根據由所述位置檢測裝置檢測的旋轉位置來控制向相應的所述陰極施加的功率；和

膜沉積控制裝置，用于通過經由所述多個功率控制裝置向所述多個陰極施加放電功率，通過對由所述基板保持器保持的基板的共濺射，執行膜沉積。

11.根據權利要求10的濺射裝置，其特征在于，所述功率控制裝置基于基板的特定位置和所述相應的陰極之間的位置關系來控制功率。

12.根據權利要求11的濺射裝置，其特征在于，基板上由于磁場的形成狀態導致濺射微粒的飛散量大的第一部分位于所述相應的陰極附近時，所述功率控制裝置施加第一功率，并且，在濺射微粒的飛散量比第一部分處的濺射微粒的飛散量小的第二部分位于所述相應的陰極附近時，所述功率控制裝置施加比第一功率高的第二功率。

13.根據權利要求11的濺射裝置，其特征在于，隨著第一部分接近所述相應的陰極，所述功率控制裝置將輸入功率逐漸減小到第一功率，并且，隨著第二部分接近所述相應的陰極，所述功率控制裝置將輸入功率逐漸增大到第二功率。

14.根據權利要求10的濺射裝置，其特征在于，所述功率控制裝置控制向所述相應的陰極施加的功率，以便作為關于基板的旋轉角的正弦波函數而獲得功率值。

15.根據權利要求10的濺射裝置，其特征在于，所述功率控制裝置基于根據要被濺射的靶材料而設定的控制模式來調整向所述相應的陰極施加的功率。

16.根據權利要求10的濺射裝置，其特征在于，所述功率控制裝置基于根據所述相應的陰極和其余的所述陰極之間的位置關系而設定的控制模式來調整向所述相應的陰極施加的功率。