[發明專利]用于溝槽與介層洞輪廓修飾的方法與設備

有效

• 申請號: 200980147109.5
• 申請日: 2009-11-19
• 公開（公告）號: CN102224573A
• 公開（公告）日: 2011-10-19
• 發明（設計）人: 張梅;高建德;呂新亮;葛振賓
• 申請（專利權）人: 應用材料股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強

1.一種處理基板的方法，至少包括：

于該基板上形成溝槽結構，其中該溝槽結構的側壁包括第一材料；及

拓寬該溝槽結構的頂部開口，其中該拓寬頂部開口的步驟包括：

通過讓該基板接觸蝕刻劑而形成犧牲層來夾封該溝槽結構的頂部開口，其中該犧牲層包括該蝕刻劑與該第一材料間的反應的副產物；

通過持續讓該基板接觸該蝕刻劑而讓該蝕刻劑與該第一材料進一步反應；及

自該基板移除該犧牲層。

2.如權利要求1所述的方法，其中該蝕刻劑設以通過與該第一材料反應并產生該副產物而移除該第一材料。

3.如權利要求1所述的方法，其中該形成犧牲層的步驟包括讓該基板接觸由該蝕刻劑產生的等離子體。

4.如權利要求1所述的方法，還包括沉積第二材料以填充該具有經拓寬的開口的溝槽結構。

5.如權利要求4所述的方法，其中該形成犧牲層的步驟包括：

確定該蝕刻劑的第一流率好讓該副產物夾封該頂部開口；

在該第一流率下流動該蝕刻劑以夾封該頂部開口。

6.如權利要求5所述的方法，其中該拓寬頂部開口的步驟還包括：

提高該第一流率以增加拓寬程度。

7.如權利要求5所述的方法，其中：

該第一材料包括氮化硅、氧化硅、或上述的組合之一者，而該蝕刻劑包括含氟、氮與氫源。

8.如權利要求7所述的方法，其中該蝕刻劑包括三氟化氮(NF₃)與氨(NH₃)的混合物；三氟化氮(NF₃)與氫氣(H₂)的混合物；三氟化氮(NF₃)、氫氣(H₂)與氮氣(N₂)的混合物；三氟化氮(NH₃)與氟化氫(HF)的混合物；或其他類似的含氟、氮與氫源之一者。

9.如權利要求7所述的方法，其中該第二材料包括用于互連結構的導電材料、用于相變存儲器的鍺-硒-碲(GST)填充、或用于金屬柵極的柵極金屬填充之一者。

10.如權利要求7所述的方法，其中該移除犧牲層的步驟包括退火該基板。

11.如權利要求1所述的方法，其中該形成溝槽結構的步驟包括：

形成溝槽于該基板上；及

沉積襯墊層于該基板上，其中該襯墊層包括該第一材料。

12.一種處理基板的方法，至少包括：

將該基板置于處理腔室中，其中該基板具有溝槽結構，而該溝槽結構的側壁包括第一材料；

流動第一處理氣體至該處理腔室以形成犧牲層來夾封該溝槽結構的頂部開口；

在已經夾封該頂部開口之后持續該第一處理氣體的流動；及

退火該基板以自該溝槽結構移除該犧牲層。

13.如權利要求12所述的方法，還包括：

確定該第一處理氣體的第一流率好讓該副產物夾封該溝槽結構的頂部開口，其中該第一處理氣體設以通過與該第一材料反應以產生該副產物而移除該第一材料。

14.如權利要求13所述的方法，其中該確定第一流率的步驟包括：

提高該第一流率以在移除該犧牲層之后得到更加拓寬的頂部開口；及

降低該第一流率以在移除該犧牲層之后得到較沒拓寬的頂部開口。

15.如權利要求14所述的方法，其中該第一處理氣體包括三氟化氮(NF₃)與氨(NH₃)的混合物；三氟化氮(NF₃)與氫氣(H₂)的混合物；三氟化氮(NF₃)、氫氣(H₂)與氮氣(N₂)的混合物；三氟化氮(NH₃)與氟化氫(HF)的混合物；或其他類似的含氟、氮與氫源之一者。