[發明專利]IVA族小顆粒組合物和相關方法

無效

• 申請號: 200980147034.0
• 申請日: 2009-10-23
• 公開（公告）號: CN102223972A
• 公開（公告）日: 2011-10-19
• 發明（設計）人: 阿爾基特·拉爾;羅伯特·J·多布斯
• 申請（專利權）人: 普里梅精密材料有限公司
• 主分類號: B22F7/00
• 分類號: B22F7/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;蔡勝有

1.一種方法，所述方法包括：

碾磨進料以形成包含IVA族元素且平均顆粒尺寸小于250nm的顆粒；和

使基材與所述顆粒和液體的混合物接觸以在所述基材上形成包含所述IVA族元素的層。

2.權利要求1的方法，其中所述IVA族元素為Si。

3.權利要求1的方法，其中所述IVA族元素為Ge。

4.權利要求1的方法，其中所述接觸步驟包括用所述混合物浸涂所述基材以形成所述層。

5.權利要求1的方法，其中所述接觸步驟包括將所述混合物旋涂到所述基材上以形成所述層。

6.權利要求1的方法，其中所述顆粒的平均顆粒尺寸小于100nm。

7.權利要求1的方法，其中所述顆粒的平均顆粒尺寸小于50nm。

8.權利要求1的方法，所述方法還包括在所述接觸步驟之前對所述顆粒涂布涂層。

9.權利要求8的方法，其中所述涂層為導電涂層。

10.權利要求9的方法，其中所述涂層為碳。

11.權利要求10的方法，其中所述涂層包含至少一些sp2構型的碳。

12.權利要求1的方法，其中所述層包含超過約90重量％的所述顆粒。

13.一種方法，所述方法包括：

碾磨進料以形成包含IVA族元素的顆粒；和

在所述顆粒上形成厚度小于50nm的碳涂層。

14.權利要求13的方法，其中所述涂層包含至少一些sp2構型的碳。

15.權利要求13的方法，其中形成所述涂層包括在高于500℃的溫度下使所述顆粒暴露于氣態碳源。

16.權利要求13的方法，其中所述涂層為導電涂層。

17.權利要求13的方法，所述方法還包括使基材與所述顆粒和液體的混合物接觸以在所述基材上形成包含所述IVA族元素的層。

18.權利要求13的方法，其中所述IVA族元素為Si。

19.權利要求13的方法，其中所述IVA族元素為Ge。

20.權利要求13的方法，其中所述顆粒的平均顆粒尺寸小于100nm。

21.權利要求13的方法，其中所述顆粒的平均顆粒尺寸小于50nm。

22.一種方法，所述方法包括：

提供包含IVA族元素的顆粒與液體的混合物；

使基材與所述混合物接觸以在所述基材上形成層，所述層包含超過50重量％的所述IVA族元素。

23.權利要求22的方法，其中所述層包含超過75重量％的所述IVA族元素。

24.權利要求22的方法，其中所述層包含超過95重量％的所述IVA族元素。

25.權利要求22的方法，所述方法還包括碾磨進料以形成包含所述IVA族元素的顆粒。

26.一種顆粒組合物，所述顆粒組合物包括：

包含IVA族元素且平均顆粒尺寸小于100nm的顆粒，

其中所述顆粒組合物是可旋涂的。

27.權利要求26的組合物，其中所述IVA族元素為Si。

28.權利要求26的組合物，其中所述IVA族元素為Ge。

29.權利要求26的組合物，其中所述平均顆粒尺寸小于50nm。

30.權利要求26的組合物，其中所述顆粒具有小片形狀。

31.一種顆粒組合物，所述顆粒組合物包括：

包含IVA族元素且平均顆粒尺寸小于100nm的顆粒，所述顆粒具有碳涂層。

32.權利要求31的組合物，其中所述涂層包含至少一些sp2構型的碳。

33.權利要求26的組合物，其中所述平均顆粒尺寸小于50nm。

34.權利要求26的組合物，其中所述顆粒具有小片形狀。