[發明專利]切割用表面保護帶及切割用表面保護帶的剝離去除方法無效
| 申請號: | 200980147025.1 | 申請日: | 2009-11-19 |
| 公開(公告)號: | CN102224575A | 公開(公告)日: | 2011-10-19 |
| 發明(設計)人: | 西尾昭德;木內一之;高橋智一 | 申請(專利權)人: | 日本電工株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/301 | 分類號: | H01L21/301;C09J7/02;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 切割 表面 保護 剝離 去除 方法 | ||
1.一種切割用表面保護帶,將所述切割用表面保護帶貼附在待切斷體的表面上并與所述待切斷體一起切斷,
所述切割用表面保護帶包括收縮性膜層和層壓在所述收縮性膜層上的約束層,所述收縮性膜層通過刺激沿至少一個軸方向收縮,所述約束層限制所述收縮性膜層的收縮,而且
當施加引起收縮的刺激時,所述切割用表面保護帶隨著從一個端部沿一個方向或從相對的兩個端部朝向中心進行自發卷起以形成一個或兩個筒狀卷起體而剝離。
2.根據權利要求1所述的切割用表面保護帶,其中,切斷后的所述待切斷體的尺寸為10mm×10mm以下。
3.根據權利要求1或2所述的切割用表面保護帶,其中,所述引起收縮的刺激是溫度為50℃以上的熱。
4.根據權利要求1-3中任一項所述的切割用表面保護帶,其中,所述約束層包括彈性層和剛性膜層,所述彈性層位于所述收縮性膜層側,且所述表面保護帶包括在所述剛性膜層側的壓敏粘合劑層。
5.根據權利要求1-4中任一項所述的切割用表面保護帶,其中,所述壓敏粘合劑層包含活性能量射線固化型壓敏粘合劑。
6.一種剝離和去除切割用表面保護帶的方法,所述方法包括:
在待切斷體的表面上貼附切割用表面保護帶的步驟,所述切割用表面保護帶包括收縮性膜層和層壓在所述收縮性膜層上的約束層,所述收縮性膜層在至少一個軸向方向上具有收縮性,所述約束層限制所述收縮性膜層的收縮,
將在貼附所述切割用表面保護帶的狀態下的所述待切斷體切斷的步驟,以及
將引起收縮的刺激施加到貼附在所述待切斷體的表面上的所述切割用表面保護帶,以引起從一個端部沿一個方向或從相對的兩個端部朝向中心的自發卷起從而形成一個或兩個筒狀卷起體,由此剝離和去除貼附在各所述待切斷體的表面上的所述切割用表面保護帶的步驟。
7.根據權利要求6所述的剝離和去除切割用表面保護帶的方法,其中,所述引起收縮的刺激是加熱。
8.根據權利要求7所述的剝離和去除切割用表面保護帶的方法,其中,所述方法還包括在加熱之前或與加熱同時進行利用活性能量射線照射的步驟。
9.根據權利要求7或8所述的剝離和去除切割用表面保護帶的方法,其中,所述加熱通過熱板、熱風槍和紅外線燈中的任一種或它們的組合進行。
10.根據權利要求6-9中任一項所述的剝離和去除切割用表面保護帶的方法,其中,在剝離和去除步驟中,所述切割用表面保護帶通過利用剝離用帶粘合和剝離、鼓風和抽吸中的任一種或它們的組合去除。
11.根據權利要求10所述的剝離和去除切割用表面保護帶的方法,其中所述抽吸去除使用真空掃除機進行。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





