[發(fā)明專利]邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980146859.0
• 申請日: 2009-10-21
• 公開（公告）號: CN102224647A
• 公開（公告）日: 2011-10-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 克里斯蒂安·勞爾;哈拉爾德·科尼格;沃爾夫?qū)べ嚑?/a>;尤偉·斯特勞斯
• 申請（專利權(quán)）人: 奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01S5/22
• 分類號: H01S5/22;H01S5/042;H01S5/10
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 許偉群;郭放

1.一種邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器芯片(1)，其具有

半導(dǎo)體本體(100)，其包括至少一個(gè)有源區(qū)(14)，在所述有源區(qū)中在半導(dǎo)體激光器芯片(1)工作時(shí)產(chǎn)生電磁輻射(10)，

至少一個(gè)接觸帶(2)，其被設(shè)置在所述半導(dǎo)體本體(100)的上側(cè)上的蓋面(1a)上，以及

至少兩個(gè)限制結(jié)構(gòu)(4)，用于限制在所述接觸帶(2)與所述有源區(qū)(14)之間的電流擴(kuò)展，其中

所述限制結(jié)構(gòu)(4)被設(shè)置在所述接觸帶(2)的兩側(cè)。

2.根據(jù)前一權(quán)利要求所述的邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器芯片(1)，其中至少一個(gè)限制結(jié)構(gòu)(4)包括半導(dǎo)體本體(100)的粗化部(41)。

3.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器芯片(1)，其中至少一個(gè)限制結(jié)構(gòu)(4)具有鄰接半導(dǎo)體本體(100)的側(cè)面(40)，其中所述側(cè)面(40)與半導(dǎo)體本體(100)的蓋面(1a)成至少20°到至多80°之間的角度(α)。

4.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器芯片(1)，其中至少一個(gè)限制結(jié)構(gòu)(4)具有鄰接半導(dǎo)體本體(100)的側(cè)面(40)，其中所述側(cè)面(40)與接觸帶(2)的主延伸方向(R)成至少15°到至多75°之間的角度(β)。

5.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器芯片(1)，其具有多個(gè)限制結(jié)構(gòu)(2)，所述限制結(jié)構(gòu)在接觸帶(2)的主延伸方向(R)上彼此間隔地設(shè)置。

6.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器芯片(1)，其中半導(dǎo)體本體(100)具有：

接觸層(16)，其與接觸帶(2)鄰接，

覆層(15)，其與接觸層(16)的背離接觸帶(2)的側(cè)鄰接，以及

波導(dǎo)層(13)，其與覆層(15)的背離接觸層(2)的側(cè)鄰接，其中

-所述限制結(jié)構(gòu)(4)中的至少一個(gè)延伸直至覆層(15)中，并且波導(dǎo)層(13)沒有限制構(gòu)(4)。

7.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器芯片(1)，其中至少一個(gè)限制結(jié)構(gòu)(4)延伸到波導(dǎo)層(13)中，并且有源區(qū)(14)沒有限制結(jié)構(gòu)(4)。

8.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器芯片(1)，其中限制結(jié)構(gòu)(4)以至少為10％的填充因數(shù)設(shè)置在接觸帶(2)的兩側(cè)。

9.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器芯片(1)，其中限制結(jié)構(gòu)(4)以至多為90％的填充因數(shù)設(shè)置在接觸帶的兩側(cè)。

10.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器芯片(1)，其中至少一個(gè)限制結(jié)構(gòu)(4)以側(cè)向距接觸帶(2)至多30μm的距離(d)地設(shè)置。

11.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器芯片(1)，其中兩個(gè)限制帶(6)中的限制結(jié)構(gòu)(4)被設(shè)置在接觸帶(2)的兩側(cè)，其中限制帶(6)分別具有至多1mm的寬度(V)。

12.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器芯片(1)，其中至少一個(gè)限制結(jié)構(gòu)(4)通過半導(dǎo)體本體(100)中的注入?yún)^(qū)域形成。

13.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器芯片(1)，其中至少一個(gè)限制結(jié)構(gòu)(4)通過半導(dǎo)體本體(100)中的凹處形成。

14.根據(jù)前一權(quán)利要求所述的邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器芯片(1)，其中凹處利用不同于半導(dǎo)體本體(100)的至少一種填充材料(41)來填充。

15.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器芯片(1)，其中在接觸帶(2)的兩側(cè)各有電流阻擋部(5)沿著接觸帶(2)延伸，其中接觸帶(2)和限制結(jié)構(gòu)(4)橫向地設(shè)置在電流阻擋部(5)之間。