[發明專利]表面發射激光器器件、表面發射激光器陣列、光學掃描裝置和成像設備

有效

• 申請號: 200980146798.8
• 申請日: 2009-11-24
• 公開（公告）號: CN102224646A
• 公開（公告）日: 2011-10-19
• 發明（設計）人: 原坂和宏;佐藤俊一;軸谷直人
• 申請（專利權）人: 株式會社理光
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183;H01S5/022;H01S5/343
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王冉

1.一種表面發射激光器器件，用以在垂直于襯底的方向上發射激光，包括：

P側電極，該p側電極圍繞發射激光的發射表面上的發射區域；以及

透明介電膜，該透明介電膜形成在發射區域的中心部分的外側且發射區域之內的外側區域上，以降低反射率為小于中心部分的；

其中，所述發射區域之內的外側區域在兩個相互垂直的方向上具有形狀各向異性。

2.如權利要求1所述的表面發射激光器器件，

其中，所述介電膜形成在所述外側區域內設置的多個小區域上。

3.如權利要求1所述的表面發射激光器器件，

其中，所述介電膜形成在所述外側區域內設置的環形區域上，且所述環形區域在兩個相互垂直的方向上具有不同的直徑。

4.如權利要求2所述的表面發射激光器器件，

其中，多個小區域包括第一小區域和第二小區域，且所述第一小區域和第二小區域跨過所述發射區域的中心部分彼此相對。

5.如權利要求4所述的表面發射激光器器件，

其中，所述激光是線性偏振光；且

所述第一小區域和所述第二小區域在平行于所述激光的偏振方向的方向上相對。

6.如權利要求3所述的表面發射激光器器件，

其中，所述激光是線性偏振光；且

所述環形區域的短軸方向處于平行于所述激光的偏振方向的方向上。

7.如權利要求4所述的表面發射激光器器件，

其中，所述襯底的主表面的法向從晶體取向<1?0?0>的其中一個方向朝向晶體取向<1?1?1>的其中一個方向傾斜。

8.如權利要求6所述的表面發射激光器器件，

其中，所述襯底的主表面的法向從晶體取向<1?0?0>的其中一個方向朝向晶體取向<1?1?1>的其中一個方向傾斜。

9.如權利要求7所述的表面發射激光器器件，

其中，第一小區域和第二小區域相對的方向平行于所述襯底的主表面的傾斜軸方向。

10.如權利要求8所述的表面發射激光器器件，

其中，所述環形區域的短軸方向平行于所述襯底的主表面的傾斜軸方向。

11.如權利要求7所述的表面發射激光器器件，

其中，第一小區域和第二小區域相對的方向垂直于所述襯底的主表面的傾斜軸方向。

12.如權利要求8所述的表面發射激光器器件，

其中，所述環形區域的短軸方向垂直于所述襯底的主表面的傾斜方向。

13.如權利要求1所述的表面發射激光器器件，

其中，所述介電膜的光學厚度為振蕩波長的1/4的奇數倍。

14.如權利要求1所述的表面發射激光器器件，

其中，所述發射區域的中心部分覆蓋有第二介電膜，且

第二介電膜的光學厚度是振蕩波長的1/4的偶數倍。

15.如權利要求14所述的表面發射激光器器件，

其中，覆蓋所述發射區域的中心部分的第二介電膜和所述外側區域內的介電膜由共同的材料構成。

16.如權利要求2所述的表面發射激光器器件，

其中，多個小區域之外的外側區域覆蓋有第三介電膜；且

所述第三介電膜的厚度是振蕩波長的1/4的偶數倍。

17.如權利要求3所述的表面發射激光器器件，

其中，所述環形區域之外的外側區域覆蓋有第四介電膜，且

所述第四介電膜的厚度是振蕩波長的1/4的偶數倍。

18.如權利要求16所述的表面發射激光器器件，

其中，覆蓋多個小區域之外的外側區域的第三介電膜和形成在多個小區域上的介電膜包含共同的材料。

19.如權利要求17所述的表面發射激光器器件，

其中，覆蓋環形區域之外的外側區域的第四介電膜和形成在環形區域上的介電膜包含共同的材料。

20.如權利要求2所述的表面發射激光器器件，

其中，形成在多個小區域上的介電膜包含SiNx、SiOx、TiOx和SiON的膜中的一種。