[發明專利]形成用于集成電路的掩蔽圖案的方法

有效

• 申請號: 200980146743.7
• 申請日: 2009-11-06
• 公開（公告）號: CN102224569A
• 公開（公告）日: 2011-10-19
• 發明（設計）人: 安東·德維利耶
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種在電子裝置中形成特征的方法，所述方法包括：

在包括目標層的一個或一個以上下伏層上的第一掩蔽層中形成界定第一圖案的心軸，所述第一圖案包含所述心軸之間的空間且具有第一間距；

沉積第二掩蔽層以至少部分地填充所述第一圖案的所述空間，所述第二掩蔽層通過所述心軸之間的所述空間接觸所述一個或一個以上下伏層；

形成犧牲結構以界定所述心軸的至少若干部分與所述第二掩蔽層的至少若干部分之間的間隙；及

在沉積所述第二掩蔽層并形成所述犧牲結構之后，移除所述犧牲結構以界定具有小于所述第一間距的第二間距的第二圖案，其中所述第二圖案包含所述心軸的所述至少若干部分及與所述心軸的所述至少若干部分交替的介入掩模特征。

2.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述心軸包括在光致抗蝕劑層或硬掩模層中界定所述心軸。

3.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括在所述目標層上方提供一個或一個以上硬掩模層，其中形成所述心軸包括在所述一個或一個以上硬掩模層上形成所述心軸。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一圖案具有第一間距，且其中所述第二圖案具有為所述第一間距的約一半的第二間距。

5.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述犧牲結構包括對所述心軸及所述第二掩蔽層中的任一者或兩者的直接鄰近于所述心軸與所述第二掩蔽層之間的邊界的部分進行化學更改，借此增加所述經化學更改部分的可蝕刻性，且其中移除所述犧牲結構包括移除所述經化學更改部分而留下所述心軸及所述第二掩蔽層的未經更改部分以共同界定所述第二圖案，所述第二掩蔽層的所述未經更改部分形成所述介入掩模特征。

6.根據權利要求5所述的方法，其中對所述部分進行化學更改包括對所述第二掩蔽層的直接鄰近于所述心軸的部分進行化學更改，而實質上不更改所述心軸的部分。

7.根據權利要求5所述的方法，其中對所述部分進行化學更改包括對所述心軸的直接鄰近于所述第二掩蔽層的部分進行化學更改，而實質上不更改所述第二掩蔽層的部分。

8.根據權利要求7所述的方法，其中沉積所述第二掩蔽層包括沉積圖像反轉材料。

9.根據權利要求5所述的方法，其中對所述部分進行化學更改包括對所述心軸及所述第二掩蔽層兩者的部分進行化學更改。

10.根據權利要求5所述的方法，其中對所述部分進行化學更改包括將化學活性物質擴散到所述部分中。

11.根據權利要求10所述的方法，其進一步包括在形成所述心軸之后且在沉積所述第二掩蔽層之前將所述化學活性物質提供到所述心軸。

12.根據權利要求5所述的方法，其中形成所述心軸包括在光致抗蝕劑層中界定所述心軸，所述方法進一步包括使所述心軸經受表面處理以便在沉積所述第二掩蔽層時保護所述第一圖案。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述表面處理包括凍結工藝。

14.根據權利要求5所述的方法，其中所述第二掩蔽層包括化學放大型抗蝕劑。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所述第二掩蔽層包括基于酸或基于堿的化學放大型抗蝕劑。

16.根據權利要求5所述的方法，其中對所述部分進行化學更改包括使所述部分經受烘烤。

17.根據權利要求16所述的方法，其中使所述部分經受所述烘烤包括將所述部分加熱到介于約110℃與約160℃之間的溫度。

18.根據權利要求5所述的方法，其中對所述部分進行化學更改包括對所述部分進行化學更改使得所述經化學更改部分比所述未經更改部分更可溶于顯影劑中。

19.根據權利要求5所述的方法，其中移除所述經化學更改部分包括借助顯影劑來移除所述經化學更改部分。

20.根據權利要求19所述的方法，其進一步包括在移除所述經化學更改部分之后，借助所述顯影劑來移除所述介入掩模特征的頂部分。