[發(fā)明專利]電路的內(nèi)部電荷轉(zhuǎn)移有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980146312.0 | 申請日: | 2009-09-09 |
| 公開(公告)號: | CN102224677A | 公開(公告)日: | 2011-10-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | M·J·金;D·金;C·肖;E·K·科爾賓 | 申請(專利權(quán))人: | 國際商業(yè)機器公司 |
| 主分類號: | H03K19/00 | 分類號: | H03K19/00 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人: | 于靜;楊曉光 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電路 內(nèi)部 電荷 轉(zhuǎn)移 | ||
相關(guān)申請的交叉引用
本申請在某些方面涉及共同持有及共同待審中的案號END920080396US1,其標題為“多核處理器(MCP)中安裝的高速緩沖存儲器(Mounted?Cache?Memory?in?a?Multi-Core?Processor(MCP))”,2008年11月21日申請,其全部內(nèi)容在此引入作為參考。本申請在某些方面還涉及共同持有及共同待審中的案號END920080397US1,其標題為“多核處理器(MCP)中的高速緩沖存儲器共享(Cache?Memory?Sharing?in?a?Multi-Core?Processor(MCP))”,2008年11月21日申請,其全部內(nèi)容在此引入作為參考。本申請在某些方面還涉及共同持有及共同待審中的案號END920080398US1,其標題為“多核處理器(MCP)中的偽高速緩沖存儲器(Pseudo?Cache?Memory?in?a?Multi-Core?Processor(MCP))”,2008年11月21日申請,其全部內(nèi)容在此引入作為參考。本申請在某些方面還涉及共同持有及共同待審中的案號END920080399US1,其標題為“多核處理器(MCP)中的高速緩沖存儲器旁通(Cache?Memory?Bypass?in?a?Multi-Core?Processor(MCP))”,2008年11月21日申請,其全部內(nèi)容在此引入作為參考。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明總體上涉及電路。更具體地說,本發(fā)明涉及(例如,數(shù)字)電路的電荷轉(zhuǎn)移。
背景技術(shù)
在信息技術(shù)(IT)產(chǎn)業(yè)中,近來朝向能量效率更高的數(shù)據(jù)中心設(shè)計的趨勢成為重要課題,省電在電路學中也成為發(fā)展中的課題。省電中一個受到關(guān)注的領(lǐng)域是電路模式的改變,如,從正常模式改變到睡眠模式,反之亦然。具體地說,現(xiàn)在已經(jīng)有子系統(tǒng)級別的待機(睡眠模式)設(shè)計可供使用,但是目前的電路設(shè)計方法并不允許在電路級別上控制待機操作。此外,為了提高數(shù)字系統(tǒng)中的功率使用效率,必須能夠在睡眠模式及正常模式之間進行快速切換。目前用于睡眠及喚醒的方法被實施為長期靜態(tài)策略。
發(fā)明內(nèi)容
除了其他功能以外,本發(fā)明使諸如數(shù)字電路之類的電路能夠在睡眠模式及正常模式之間快速轉(zhuǎn)變。本發(fā)明利用芯片內(nèi)部電荷轉(zhuǎn)移操作來使電路進入快速睡眠。本發(fā)明減少了外部功率的涉入,而且本發(fā)明通過將電荷轉(zhuǎn)移限于電路內(nèi)來加速睡眠模式轉(zhuǎn)變時間。本文陳述的本發(fā)明使用高級電路塊支持,且因此本發(fā)明適用于所有諸如數(shù)字電路之類的電路。快速睡眠及快速喚醒使系統(tǒng)的功率管理更敏捷。此功能性還最大化了功率性能并提供了能量效率更高的計算架構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的電路可包括:電源電壓節(jié)點;接地電壓節(jié)點;一組背柵電壓節(jié)點;以及電荷轉(zhuǎn)移機構(gòu),其與所述電源電壓節(jié)點、所述接地電壓節(jié)點以及所述一組背柵電壓節(jié)點耦合,所述電荷轉(zhuǎn)移機構(gòu)配置為在所述電源電壓節(jié)點、所述接地電壓節(jié)點以及所述一組背柵電壓節(jié)點之間轉(zhuǎn)移電荷。這允許電路的迅速喚醒和/或睡眠及較低的功耗。
本發(fā)明的第一方面提供了一種電路,包含:電源電壓節(jié)點;接地電壓節(jié)點;一組背柵電壓節(jié)點;以及電荷轉(zhuǎn)移機構(gòu),其與所述電源電壓節(jié)點、所述接地電壓節(jié)點以及所述一組背柵電壓節(jié)點耦合,所述電荷轉(zhuǎn)移機構(gòu)配置為在所述電源電壓節(jié)點、所述接地電壓節(jié)點以及所述一組背柵電壓節(jié)點之間轉(zhuǎn)移電荷。
本發(fā)明的第二方面提供了一種數(shù)字電路,包含:電源電壓節(jié)點;接地電壓節(jié)點;PFET背柵電壓節(jié)點;NFET背柵電壓節(jié)點;以及一組開關(guān),其與所述一組背柵電壓節(jié)點、所述電源電壓節(jié)點以及所述接地電壓節(jié)點耦合,所述一組開關(guān)配置為:在所述電源電壓節(jié)點與所述接地電壓節(jié)點之間轉(zhuǎn)移電荷;在所述PFET背柵電壓節(jié)點與所述電源電壓節(jié)點之間轉(zhuǎn)移電荷,及在所述NFET背柵電壓節(jié)點與所述接地電壓節(jié)點之間轉(zhuǎn)移電荷。
本發(fā)明的第三方面提供了一種轉(zhuǎn)移電路中的電荷的方法,包含:將電源電壓電荷從電源電壓節(jié)點轉(zhuǎn)移至接地電壓節(jié)點以使所述電路進入睡眠模式;以及將背柵電壓電荷從一組背柵電壓節(jié)點轉(zhuǎn)移至所述電源電壓節(jié)點和所述接地電壓節(jié)點以使所述電路退出睡眠模式。
本發(fā)明的第四方面提供了一種改變數(shù)字電路的模式的方法,包含:閉合所述數(shù)字電路中的第一開關(guān);使用所述第一開關(guān)將電源電壓電荷從電源電壓節(jié)點轉(zhuǎn)移至接地電壓節(jié)點以使所述數(shù)字電路進入睡眠模式;斷開所述第一開關(guān);閉合所述數(shù)字電路中的第二開關(guān)及第三開關(guān);以及使用所述第二開關(guān)及所述第三開關(guān)將背柵電壓電荷從一組背柵電壓節(jié)點轉(zhuǎn)移至所述電源電壓節(jié)點及所述接地電壓節(jié)點以使所述數(shù)字電路退出睡眠模式。
附圖說明
結(jié)合附圖參考本發(fā)明各種方面的詳細說明,可容易地理解本發(fā)明的這些及其他特性,其中:
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