[發明專利]用具有稀疏圖案的掩模進行激光燒蝕加工有效
| 申請號: | 200980146301.2 | 申請日: | 2009-10-13 |
| 公開(公告)號: | CN102217036A | 公開(公告)日: | 2011-10-12 |
| 發明(設計)人: | 托馬斯·R·科里甘 | 申請(專利權)人: | 3M創新有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 顧紅霞;何勝勇 |
| 地址: | 美國明*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用具 稀疏 圖案 進行 激光 加工 | ||
1.一種用于在基底上激光成像的具有稀疏圖案的掩模,包括:
掩模,所述掩模具有透光的孔和所述孔周圍的不透光區域,其中所述孔單獨地形成完整圖案的一部分,并且所述不透光區域的至少一部分在所述掩模上位于所述孔之間的與所述基底上的非成像區域對應的區域內,隨后用所述孔在所述非成像區域上成像,以形成所述完整圖案。
2.根據權利要求1所述的掩模,其中所述基底具有基本上平坦的形狀。
3.根據權利要求1所述的掩模,其中所述基底具有基本上為圓柱形的形狀。
4.根據權利要求1所述的掩模,其中所述多個孔中的每一個均排列在規則重復陣列的一部分上。
5.根據權利要求1所述的掩模,其中所述完整圖案包括連續的特征。
6.根據權利要求1所述的掩模,其中所述完整圖案包括離散的特征。
7.根據權利要求1所述的掩模,其中所述孔具有圓形形狀。
8.根據權利要求1所述的掩模,其中所述孔具有六邊形形狀。
9.根據權利要求1所述的掩模,其中所述掩模包括具有多個孔的單個掩模,當用所述單個掩模在所述基底上多次成像時,形成所述完整圖案。
10.根據權利要求1所述的掩模,其中所述掩模包括通過在基底上成像形成所述完整圖案的多個掩模中的一者。
11.根據權利要求1所述的掩模,其中所述掩模被構造為用于激光燒蝕系統以在所述基底上激光成像。
12.一種用具有稀疏圖案的掩模在基底上激光成像的方法,所述方法包括:
通過具有透光孔和所述孔周圍的不透光區域的第一掩模在所述基底上成像,所述第一掩模中的所述孔形成完整圖案的第一部分;以及
通過各自具有透光孔和所述孔周圍的不透光區域的一個或多個第二掩模在所述基底上成像,所述第二掩模中的所述孔形成所述完整圖案的第二部分;
其中當所述第一掩模和所述一個或多個第二掩模單獨在所述基底上成像時,所述第一掩模和所述一個或多個第二掩模一起形成所述完整圖案。
13.根據權利要求12所述的方法,其中所述基底具有基本上平坦的形狀。
14.根據權利要求12所述的方法,其中所述基底具有基本上為圓柱形的形狀。
15.根據權利要求12所述的方法,其中所述第一掩模和所述一個或多個第二掩模中的所述孔各自形成所述完整圖案中的所述孔的子集。
16.根據權利要求15所述的方法,其中所述孔的所述子集以矩陣形式排列。
17.根據權利要求12所述的方法,其中所述完整圖案的重復距離大于所述第一掩模和所述一個或多個第二掩模中的任何一個的圖案的重復距離。
18.根據權利要求12所述的方法,其中所述成像步驟包括用激光圖像燒蝕所述基底的表面。
19.一種用具有稀疏圖案的掩模在基底上激光成像的方法,所述方法包括:
通過透光的第一孔在所述基底上成像,不透光區域包圍所述第一孔,并且所述掩模中的所述第一孔形成完整圖案的第一部分;以及
通過透光的一個或多個第二孔在所述基底上成像,所述不透光區域包圍所述一個或多個第二孔,并且所述掩模中的所述一個或多個第二孔形成所述完整圖案的第二部分,
其中當所述第一孔與所述一個或多個第二孔單獨在所述基底上成像時,所述第一孔和所述一個或多個第二孔一起形成所述完整圖案。
20.根據權利要求19所述的方法,其中所述第一孔和所述一個或多個第二孔同時成像。
21.根據權利要求19所述的方法,其中所述基底具有基本上平坦的形狀。
22.根據權利要求19所述的方法,其中所述基底具有基本上為圓柱形的形狀。
23.根據權利要求19所述的方法,其中所述成像步驟包括:
通過所述掩模的第一位置處的所述第一孔在所述基底上成像;以及
通過所述掩模的與所述第一位置不同的第二位置處的所述一個或多個第二孔在所述基底上成像。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





