[發明專利]用于基材處理的高溫測定

有效

• 申請號: 200980146289.5
• 申請日: 2009-10-07
• 公開（公告）號: CN102217033A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發明（設計）人: 凱拉什·基蘭·帕塔雷;阿倫·繆爾·亨特;布魯斯·E·亞當斯
• 申請（專利權）人: 應用材料股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/02;H01L21/324
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;王金寶

1.一種基材處理系統，包含：

處理腔室；

底座，用以支撐設置于所述處理腔室內的基材；

光學高溫測定組件，用以量測實質上源自所述底座的邊緣的發射光，所述光學高溫測定組件包含：

光接收器；及

光學偵測器；

其中所述光學高溫測定組件接收所述發射光的一部分；且

其中所述底座的溫度是由所述發射光的所述部分在至少一個波長附近的強度而確定。

2.如權利要求1所述的基材處理系統，其中所述光接收器設置于所述處理腔室內。

3.如權利要求1所述的基材處理系統，其中所述處理腔室的一部分為透明的，以允許來自加熱燈的光的一部分進入所述處理腔室。

4.如權利要求3所述的基材處理系統，其中所述至少一個波長中的一或多個大于3μm。

5.如權利要求1所述的基材處理系統，其中經接收的所述發射光的所述部分包含在第一波長處具有第一強度的光及在第二波長處具有第二強度的光，且其中所述底座的溫度是由所述第一強度與所述第二強度的比率而確定。

6.如權利要求1所述的基材處理系統，還包含鞘，其中所述鞘延伸超出所述光接收器至少0.005英寸。

7.如權利要求1所述的基材處理系統，其中所述光接收器在所述底座的邊緣的0.200英寸內。

8.如權利要求1所述的基材處理系統，其中所述底座具有一或多個特征結構位于所述底座的邊緣上，以增加鄰近所述一或多個特征結構的處于至少一個波長附近的表觀光學發射率。

9.一種基材處理系統，包含：

處理腔室；

光學高溫測定組件，用以量測實質上源自基材的一部分的發射光，所述光學高溫測定組件包含：

光接收器；及

光學偵測器；

其中所述光學高溫測定組件接收所述發射光的一部分；

其中所述光接收器設置于所述處理腔室之內；且

其中所述基材的溫度是由所述發射光的所述部分在至少一個波長附近的強度而確定。

10.如權利要求9所述的基材處理系統，其中所述基材的溫度小于約攝氏650度。

11.如權利要求9所述的基材處理系統，其中所述至少一個波長中的一或多個小于約1.2μm。

12.如權利要求9所述的基材處理系統，其中所述光接收器的數值孔徑小于約0.1。

13.如權利要求9所述的基材處理系統，其中所述處理腔室的一部分為透明的，以允許來自加熱燈的光的一部分進入所述處理腔室。

14.如權利要求9所述的基材處理系統，還包含鞘，其中所述鞘延伸超出所述光接收器至少0.005英寸。

15.如權利要求9所述的基材處理系統，其中所述光接收器在所述基材的邊緣的0.200英寸內。