[發明專利]半導體集成電路裝置

有效

• 申請號: 200980146117.8
• 申請日: 2009-10-30
• 公開（公告）號: CN102217058A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發明（設計）人: 板垣孝俊
• 申請（專利權）人: 三美電機株式會社
• 主分類號: H01L21/822
• 分類號: H01L21/822;H01L21/82;H01L27/04
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 曾賢偉;范勝杰

1.一種半導體集成電路裝置，其特征在于，

具備：一個半導體基板；

在所述半導體基板上形成的數字電路；以及

在所述半導體基板上形成的模擬電路，

所述半導體集成電路裝置被劃分為形成所述數字電路的數字電路區域和形成所述模擬電路的模擬電路區域，

所述模擬電路區域被劃分為形成所述模擬電路的有源元件的有源元件區域、和形成所述模擬電路的電阻或電容器的電阻電容元件區域，

將所述電阻電容元件區域配置在與所述數字電路區域相鄰的區域，

將所述有源元件區域配置在遠離所述數字電路區域的區域。

2.根據權利要求1所述的半導體集成電路裝置，其特征在于，

所述電阻電容元件區域被劃分為形成所述模擬電路的電阻的電阻元件區域和形成所述模擬電路的電容器的電容元件區域。

3.根據權利要求1或2所述的半導體集成電路裝置，其特征在于，

通過在所述電阻電容元件區域的元件分離膜上隔著絕緣層分離相對的兩個金屬配線層形成了所述模擬電路的電容器。

4.根據權利要求1所述的半導體集成電路裝置，其特征在于，

通過在所述電阻電容元件區域的元件分離膜上設置的多晶硅配線層形成了所述模擬電路的電阻。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體集成電路裝置，其特征在于，

還具備：在所述模擬電路區域和所述數字電路區域的邊界上設置的第一保護帶。

6.根據權利要求5所述的半導體集成電路裝置，其特征在于，

還具備：在所述有源元件區域和所述電阻電容元件區域的邊界上設置的第二保護帶。