[發(fā)明專利]包含ZnO立方烷的混合物的配制劑和使用它們制備半導(dǎo)體ZnO層的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200980145968.0 | 申請(qǐng)日: | 2009-11-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102216490A | 公開(公告)日: | 2011-10-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | H.西伊姆;J.斯泰格;A.梅堀洛夫;D.V.普哈姆;Y.阿克舒;S.舒特;M.德里伊斯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 贏創(chuàng)德固賽有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | C23C18/12 | 分類號(hào): | C23C18/12;C07F3/06 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 石克虎;林森 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 德國;DE |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 包含 zno 立方 混合物 配制 使用 它們 制備 半導(dǎo)體 方法 | ||
1.配制劑,包含:
a)至少兩種不同的ZnO立方烷,其中
i)至少一種ZnO立方烷在SATP條件下以固態(tài)存在,和?ii)至少一種ZnO立方烷在SATP條件下以液態(tài)存在,和
b)至少一種溶劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的配制劑,其特征在于,所述在SATP條件下以固態(tài)存在的ZnO立方烷在105?Pa具有120-300℃,更優(yōu)選150-250℃的分解點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的配制劑,其特征在于,在SATP條件下以固態(tài)存在的ZnO立方烷是通式[R1Zn(OR2)]4的ZnO立方烷,其中R1?=?Me或Et,和R2?=?t-Bu或i-Pr。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的配制劑,其特征在于,在SATP條件下以固態(tài)存在的ZnO立方烷是?[MeZn(O-t-Bu)]4或[MeZn(O-i-Pr)]4。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的配制劑,其特征在于,在SATP條件下以液態(tài)存在的ZnO立方烷在標(biāo)準(zhǔn)壓力下具有25至-100℃、更優(yōu)選0至-30℃的熔點(diǎn)。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的配制劑,其特征在于,在SATP條件下以液態(tài)存在的ZnO立方烷是通式[R1Zn(OR2)]4的ZnO立方烷,其中?R1?=?Me或?Et?,R2?=?CH2CH2OCH3、CH2CH2OCH2CH3、CH2OCH2CH3、CH2OCH3或CH2CH2CH2OCH3。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的配制劑,其特征在于,在SATP條件下以液態(tài)存在的ZnO立方烷是[MeZn(OCH2CH2OCH3)]4。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的配制劑,其特征在于,在標(biāo)準(zhǔn)壓力下固態(tài)的所述至少一種ZnO立方烷以10-90重量%,優(yōu)選30-70重量%,最特別優(yōu)選40-60重量%的比例存在,基于固體和液體ZnO立方烷的總質(zhì)量。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的配制劑,其特征在于,所述至少一種溶劑選自非質(zhì)子溶劑,更優(yōu)選選自甲苯、二甲苯、茴香醚、均三甲苯、正己烷、正庚烷、三-(3,6-二氧雜庚基)胺(TDA)、2-氨甲基四氫呋喃、苯乙醚、4-甲基茴香醚、3-甲基茴香醚、苯甲酸甲酯、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、四氫萘、苯甲酸乙酯和二乙醚。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的配制劑,其特征在于,所述ZnO立方烷的濃度是5-60重量%,更優(yōu)選10-50重量%,最特別優(yōu)選20-40重量%,基于所述配制劑。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的配制劑,其特征在于,它進(jìn)一步含有0.1-20重量%的至少一種基于所述配制劑中存在的ZnO立方烷的添加劑。
12.半導(dǎo)體ZnO層的制備方法,其特征在于,將根據(jù)權(quán)利要求1-11中任一項(xiàng)的配制劑施加到基材上,和然后在其上熱轉(zhuǎn)化。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的方法,其特征在于,所述基材是Si或Si/SiO2晶片、玻璃基材或聚合物基材,后者優(yōu)選基于PET、PE、PEN、PEI、PEEK、PI、PC、PEA、PA或PP。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13的方法,其特征在于,通過旋涂、噴涂、柔性版印刷、凹板印刷、噴墨印刷、絲網(wǎng)印刷、移印或膠版印刷將所述配制劑施加到所述基材上。
15.根據(jù)權(quán)利要求12-14中任一項(xiàng)的方法,其特征在于,所述熱轉(zhuǎn)化在120-450℃的溫度下進(jìn)行。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于贏創(chuàng)德固賽有限責(zé)任公司,未經(jīng)贏創(chuàng)德固賽有限責(zé)任公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200980145968.0/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C18-00 通過液態(tài)化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應(yīng)產(chǎn)物的化學(xué)鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
C23C18-14 .輻射分解法,例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法,例如無電流鍍
C23C18-54 .接觸鍍,即無電流化學(xué)鍍
C23C18-18 ..待鍍材料的預(yù)處理
- 一種降低水熱法ZnO晶體的螺旋位錯(cuò)密度的方法
- 一種非極性ZnO基發(fā)光器件及其制備方法
- 一種發(fā)光顏色可調(diào)的半導(dǎo)體發(fā)光材料及制備方法
- 一種耐腐蝕ZnO薄膜及其制備方法
- 一種ZnO同質(zhì)pn結(jié)及其制備方法
- ZnO溶膠復(fù)合Sn摻雜ZnO厚膜的制備方法
- 一種ZnO/Ag/ZnO復(fù)合透明導(dǎo)電薄膜的制備方法
- 基于種子層結(jié)構(gòu)控制的超疏水自清潔玻璃的制備方法
- 一種含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al異質(zhì)結(jié)的LED及其制備方法
- ZnO納米棒/碳纖維的制備方法及其在光電降解有機(jī)染料中的應(yīng)用





