[發(fā)明專(zhuān)利]多結(jié)光電器件及其生產(chǎn)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980145912.5
• 申請(qǐng)日: 2009-11-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102217080A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D·多敏;P·庫(kù)奧尼;J·白萊特
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 紐沙泰爾大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/0236
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/0236;H01L31/078
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

1.一種多結(jié)光電器件(1)，包括其上沉積第一導(dǎo)電層(3)的基底(2)、其上沉積第二導(dǎo)電層(7)的p-i-n或p-n配置的至少兩個(gè)基本光電器件(4，6)、以及在兩個(gè)相鄰基本光電器件(4，6)之間提供的至少一個(gè)中間層(5)，其特征在于，所述中間層(5)具有在進(jìn)光側(cè)的頂部面(10)和在另一側(cè)的底部面(11)，所述頂部面(10)和底部面(11)分別具有包括傾斜的基本表面的表面形態(tài)，使得α_90底部小于α_90頂部至少3°，優(yōu)選地6°，更優(yōu)選地10°，并且甚至更優(yōu)選地15°；其中α_90頂部是這樣的角度：所述中間層(5)的頂部面(10)的基本表面的90％具有等于或小于該角度的傾斜度，并且α_90底部是這樣的角度：所述中間層(5)的底部面(11)的基本表面的90％具有等于或小于該角度的傾斜度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，α_90頂部包括在20°和80°之間，并且優(yōu)選地在40°和80°。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的器件，其特征在于，α_90底部包括在0°和40°之間，并且優(yōu)選地在5°和40°。

4.根據(jù)前述權(quán)利要求的任一所述的器件，其特征在于，位于相對(duì)于所述中間層(5)朝向所述基底(2)一側(cè)的基本光電器件(4)基于非晶硅，并且其特征在于，另一基本光電器件(6)基于微晶硅。

5.根據(jù)前述權(quán)利要求的任一所述的器件，其特征在于，所述中間層(5)具有10nm至500nm的厚度，優(yōu)選地50nm至150nm。

6.根據(jù)前述權(quán)利要求的任一所述的器件，其特征在于，所述中間層(5)由選自下述的材料的層構(gòu)成：氧化鋅、摻雜的氧化硅、摻雜的多孔氧化硅、氧化錫、氧化銦、摻雜的碳化硅、摻雜的非晶硅、摻雜的微晶硅及其組合。

7.根據(jù)前述權(quán)利要求的任一所述的器件，其特征在于，使用用于沉積所述中間層的單個(gè)步驟工藝獲得中間層(5)的底部面(11)的表面形態(tài)，所述單個(gè)步驟工藝使得可以在它的沉積期間獲得對(duì)應(yīng)于所述底部面

(11)的所要求的表面形態(tài)的平面化表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求1到6的任一所述的器件，其特征在于，通過(guò)在已經(jīng)沉積所述中間層(5)之后執(zhí)行所述底部面(11)的表面的平坦，以便獲得所述底部面(11)的所要求的表面形態(tài)，從而獲得所述中間層(5)的底部面(11)的表面形態(tài)。

9.一種用于生產(chǎn)多結(jié)光電器件(1)的方法，所述多結(jié)光電器件(1)包括其上沉積第一導(dǎo)電層(3)的基底(2)、其上沉積第二導(dǎo)電層(7)的p-i-n或p-n配置的至少兩個(gè)基本光電器件(4，6)，其特征在于，所述方法包括在所述基本光電器件(4)的至少一個(gè)上沉積中間層(5)的步驟，所述中間層(5)具有在進(jìn)光側(cè)的頂部面(10)和在另一側(cè)的底部面(11)，所述頂部面(10)和底部面(11)分別具有包括傾斜的基本表面的表面形態(tài)，使得α_90底部小于α_90頂部至少3°，優(yōu)選地6°，更優(yōu)選地10°，并且甚至更優(yōu)選地15°；其中α_90頂部是這樣的角度：所述中間層(5)的頂部面(10)的基本表面的90％具有等于或小于該角度的傾斜度，并且α_90底部是這樣的角度：所述中間層(5)的底部面(11)的基本表面的90％具有等于或小于該角度的傾斜度。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述中間層(5)由選自下述的材料的層構(gòu)成：氧化鋅、摻雜的氧化硅、摻雜的多孔氧化硅、氧化錫、氧化銦、摻雜的碳化硅、摻雜的非晶硅、摻雜的微晶硅及其組合。

11.根據(jù)權(quán)利要求9和10的任一所述的方法，其特征在于，在所述沉積中間層(5)的步驟期間，使用單個(gè)步驟沉積工藝，所述單個(gè)步驟沉積工藝使得可以在所述中間層的沉積期間獲得對(duì)應(yīng)于所述底部面(11)的所要求的表面形態(tài)的平面化表面。

12.根據(jù)權(quán)利要求9和10的任一所述的方法，其特征在于，所述方法包括在沉積中間層(5)的步驟之后的額外步驟，所述額外步驟為使所述中間層(5)的底部面(11)的表面平坦，以便獲得所述底部面(11)的所要求的表面形態(tài)。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，使中間層(5)的底部面(11)的表面平坦的所述額外步驟使用選自下述的技術(shù)之一：化學(xué)-機(jī)械拋光、化學(xué)蝕刻、等離子體處理和噴砂。