[發明專利]基底處理方法、基底和用于實施該方法的處理裝置

無效

• 申請號: 200980145364.6
• 申請日: 2009-09-10
• 公開（公告）號: CN102217031A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發明（設計）人: D·哈伯曼
• 申請（專利權）人: 吉布爾.施密德有限責任公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/311
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李永波;梁冰

1.一種用于處理基底（13）特別是太陽能電池的方法，其中基底（13）至少在其外側面上含有硅或者具有硅材料，其中在處理期間對基底進行多次蝕刻，其間利用水或DI水（20）進行多個清潔步驟，其特征在于，最后對基底（13）進行干燥和加熱，以便盡可能地很大程度上地干燥表面并去除水，接下來利用至少含有少量臭氧的氣體混合物（34）對基底（13）或基底表面進行氧化。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，用受熱的氣體對基底（13）進行干燥和加熱。

3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，用于氧化的氣體混合物（34）具有如下組的組分：N₂、O₂、O₃。

4.如前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，在干燥和加熱的步驟期間，將基底（13）加熱到至少50℃的溫度，優選至少加熱到100℃~150℃。

5.如前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，直接在干燥和加熱的步驟之前，用DI水（20）對基底（13）再清潔一次。

6.如前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，它采用在線方式來實施。

7.根據前述權利要求中任一項的方法的用于處理太陽能電池的基底（13）或太陽能電池晶片的應用。

8.一種太陽能電池晶片（13），其特征在于，它已采用根據前述權利要求中任一項的方法被處理。

9.如權利要求8所述的太陽能電池晶片，其特征在于，它帶有硅層。

10.如權利要求8所述的太陽能電池晶片，其特征在于，它由硅構成。

11.一種用于基底（13）特別是太陽能電池的處理裝置，其中基底至少在其外側面上含有硅或者具有硅材料，其中處理裝置（11）具有至少一個用于基底（13）的蝕刻裝置（15）和至少一個利用水或DI水（34）的清潔裝置，其特征在于，至少一個干燥站（22、25）設置有加熱機構（24、27），用于盡可能地很大程度上地干燥基底（13）的表面和去除水，其中在干燥站（22、25）之后設置有用于基底（13）或基底表面的氧化站（30），并引入至少含有少量臭氧的氣體混合物（34）。

12.如權利要求11所述的處理裝置，其特征在于，設置有兩個干燥站（22、25）。