[發明專利]膠體材料的制備方法、膠體材料及其用途

有效

• 申請號: 200980144803.1
• 申請日: 2009-09-10
• 公開（公告）號: CN102387855A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 貝努瓦.杜博特雷特;桑德里尼.伊蘇里亞
• 申請（專利權）人: 索拉韋爾公司
• 主分類號: B01J13/00
• 分類號: B01J13/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 賈靜環

技術領域

本發明涉及膠體材料的制備方法，通過該方法可獲得的膠體材料以及所述膠體材料用于制備光學裝置的用途。

通過本發明方法可獲得的膠體材料可以為例如CdS、InP或PbS。在下文中給出了很多其他的實例。

本發明的膠體材料可以用于制備例如激光器(laser)或光電裝置。例如，根據本發明實施方案，本發明的膠體材料可以用于替代MBE或MOCVD半導體材料。

本發明材料也用于測試量子限制(quantum?confinement)的深層理論。

在下文中，括弧內黑體字的參考文獻([x])是所附的引用的文獻和出版物的參考文獻，其也列在說明書的《實施例》部分后的參考文獻列表中。

背景技術

納米尺寸的無機材料顯示出依賴于組成、尺寸、形狀和表面配體的范圍廣泛的電學性能和光學性能，并且是基礎研究和技術研究的關注點，如Yin，Y.等人，A.P.Colloidal?nanocrystal?synthesis?and?the?organic-inorganic?interface.Nature?437，664-670(2005)[1]和Hu，J.T.等人，C.M.Chemistry?and?physics?inone?dimension：Synthesis?and?properties?of?nanowires?and?nanotubes.AccountsChem?Res?32，435-445(1999)[2]以及Geim，A.K.等人，The?rise?of?graphene.Nature?Materials?6，183-191(2007)[3]中所公開的。

如Murray，C.B.等人，M.G.Synthesis?and?Characterization?of?NearlyMonodisperse?CdE(E＝S，Se，Te)Semiconductor?Nanocrystallites.J?Am?ChemSoc?115，8706-8715(1993)[4]所公開的得到很好證實的用于零維度體系(zerodimensional?system)生長的方法，如Duan，X.F.等人，C.M.General?synthesisof?compound?semiconductor?nanowires.Adv?Mater?12，298-302(2000)[5]和Peng，X.G.等人，Shape?control?of?CdSe?nanocrystals.Nature?404，59-61(2000)[6]所公開的點以及一維體系，其中已報導了作為溶液中的膠體顆粒的線(wire)和管(tube)。

相比之下，還沒有可以獲得光學活性二維可溶顆粒的制備方法。

然而，例如已證實了通過分子束取向生長在基質上的II-VI和III-V半導體超薄膜(量子阱)特別有利于基礎研究和很多光電子技術的應用，如Weisbuch，C.等人，Quantum?Semiconductor?Structures：fundamentals?andapplications.(Academic?Press，1991)[7]所公開的。