[發明專利]具有側壁泄露保護的MEMS器件封裝

有效

• 申請號: 200980144743.3
• 申請日: 2009-11-10
• 公開（公告）號: CN102209683A
• 公開（公告）日: 2011-10-05
• 發明（設計）人: 格雷亞·J·A·費爾海登;格哈德·庫普斯
• 申請（專利權）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種制造MEMS器件的方法，包括：

形成MEMS器件元件(14)；

在器件元件(14)上方形成已構圖犧牲層(20)；

在犧牲層上方形成分隔層(13)；

刻蝕分隔層(13)，以限定鄰近犧牲層(20)外側壁的分隔部分(23)以及從犧牲層(20)的頂部完全去除分隔層(13)；

在犧牲層(20)和分隔部分(23)上形成封裝覆蓋層(24)；

在封裝覆蓋層(24)中限定至少一個開口(25)；

通過所述至少一個開口(25)去除犧牲層(20)，從而在器件元件(14)上形成封裝空間；以及

密封所述至少一個開口(25)。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述分隔層(13)利用LPCVD工藝形成。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述分隔層刻蝕包括等離子刻蝕。

4.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述犧牲層(20)包括氧化層。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述犧牲層(20)包括二氧化硅。

6.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述封裝覆蓋層(24)利用PECVD工藝沉積。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述封裝覆蓋層(24)包括SiCN。

8.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中去除所述犧牲層(20)包括HF氣相工藝。

9.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述MEMS器件元件(14)包括開關、電容器或者諧振器。

10.一種已封裝的MEMS器件，包括：

MEMS器件元件(14)；

MEMS器件元件上的腔體(26)，其中所述腔體(26)具有沿其外圍的分隔部分(23)；

封裝覆蓋層(24)，設置在所述腔體(26)和分隔部分(23)上；以及

在封裝覆蓋層(24)中的密封犧牲刻蝕開口(25)。

11.根據權利要求10所述的器件，其中所述分隔部分(23)包括多晶硅或者多晶硅-鍺。

12.根據權利要求10或11所述的器件，其中所述封裝覆蓋層(24)包括SiCN。

13.根據權利要求10至12中任一項所述的器件，包括在封裝覆蓋層(24)上的密封層(30)。