[發明專利]發光裝置、面光源以及顯示裝置

有效

• 申請號: 200980144518.X
• 申請日: 2009-11-10
• 公開（公告）號: CN102210030A
• 公開（公告）日: 2011-10-05
• 發明（設計）人: 伊藤晉;岡田豐
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;F21S2/00;F21V5/00;F21V5/04;G02F1/13357;F21Y101/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張遠

技術領域

本發明涉及一種具備有能夠使射出光射向規定方向的封裝體的發光裝置、由多個所述發光裝置排列而成的面光源，以及具備該面光源的顯示裝置。

背景技術

作為從液晶顯示屏的背面進行照射的背光燈，現已開發出具備有由LED(發光二極管)等光源排列而成的面光源的液晶顯示裝置。從液晶顯示屏的背面進行照射的背光燈稱之為直下式背光燈。

專利文獻1揭示了一種直下式背光燈，具備多個相分離而設置的LED，這些LED所發出的光相混合而成為均勻的白色光。該背光燈包括安裝基板、安裝在該安裝基板上的能射出藍色光的LED、能射出紅色光的LED、能射出綠色光的LED、設在這些LED上方的散射板、設置在各LED上并能將出射光引導至散射板的透鏡。另外，對透鏡的放射角度進行調整，以使各LED的出射光通過散射板照射到共同區域并相互混合。

專利文獻1：日本國專利申請公報，特開2007-188858號(公開日：2007年7月26日)。

但是，根據專利文獻1所記載的背光燈，各LED相分離而設，并設置有用于使各出射光射向指定方向的透鏡，以使出射光通過散射板照射到共同區域。因此，各LED的光軸方向互不相同。從而，光譜分布隨著出射方向而變化，從散射板側進行觀察時，所觀察到的顏色可能會隨著角度而發生變化。

另外，不僅零部件數會隨著透鏡數相應增多，安裝完透鏡之后還需要對色度進行調整，由此會導致制造成本上升。而且，不利于實現背光燈的薄型化以及輕量化。

發明內容

本發明是鑒于上述問題而開發的，其目的在于提供即使在對裝置進行薄型化的情況下也較少發生亮度不均、色度不均的顯示裝置，以及具有適合于所述顯示裝置的結構的發光裝置和面光源。

(為了解決問題的方法)

本發明的發光裝置的特征在于包括基板、設置在所述基板上的半導體發光元件、覆蓋所述半導體發光元件的封裝體、具有多個峰部和谷部的透鏡，所述發光裝置發出的光在與所述基板平行的觀察面上形成由多個亮部和暗部所構成的非同心圓狀的亮度分布。

(發明的效果)

根據本發明，通過對具有由多個亮部和暗部所構成的非同心圓狀的亮度分布的發光裝置進行組合，能夠獲得可抑制亮度不均和色度不均的且薄型化的顯示裝置。另外，還能夠提供具有適合于該顯示裝置的特征性形狀的面光源和發光裝置。

附圖說明

圖1是實施方式1的四葉型發光裝置的平面圖以及側面圖。

圖2是表示實施方式1的四葉型發光裝置的配光特性、照射形狀以及照射形狀的評價方法的圖。

圖3是表示圓頂型發光裝置的形狀、配光特性以及照射形狀的圖。

圖4是實施方式1的面光源的模式圖以及表示四葉型發光裝置的照射形狀和排列方式的圖。

圖5是表示實施方式1的面光源的其他形態的照射形狀的圖。

圖6是表示實施方式2的四葉型發光裝置的平面圖以及側面圖。

圖7是表示實施方式2的四葉型發光裝置的配光特性以及照射形狀的圖。

圖8是表示實施方式2的面光源的四葉型發光裝置的照射形狀和排列方式的圖。

圖9是表示實施方式3的面光源中的3次旋轉對稱的照射形狀和排列方式的圖。

圖10是表示實施方式3的面光源中的6次旋轉對稱的照射形狀和排列方式的圖。

圖11是表示局部調光方式的液晶顯示裝置的模式圖。

具體實施方式

[實施方式1]

(發光裝置)

以下，參照附圖來說明本發明的發光裝置。

圖1是實施方式1的四葉型發光裝置的平面圖以及側面圖。四葉型發光裝置50的外形特征在于：封裝體兼用透鏡10具有在平面圖的對角位置上隆起的4個峰部10a以及與這些峰部10a相對應的凹陷部連接而成的槽狀的谷部10b，從而構成以主軸11為中心的4次旋轉對稱的四葉形狀。在圖1中，以虛線表示形成凸面的部分，以單點劃線表示形成凹面的部分。另外，主軸11是指封裝體兼用透鏡10的旋轉對稱軸，在本發明中，主軸11與下述半導體發光元件(以下稱之為LED芯片)25的設置時的旋轉對稱軸和照射形狀的旋轉對稱軸相一致。

接下來，說明四葉型發光裝置50的結構。四葉型發光裝置50包括基板20、設置在基板20上的LED芯片25、覆蓋LED芯片25的波長變換部30、覆蓋波長變換部30的封裝體兼用透鏡10。基板20由陶瓷、樹脂以及金屬等材料構成，并且在其表面形成有用于向LED芯片25供電的電極(未圖示)。LED芯片25是氮化物半導體發光元件，其發光峰值例如在波長400nm以上且500nm以下的藍色波長區域中，發射作為1次光的藍光。