[發明專利]用于分子結合的表面處理

無效

• 申請號: 200980144516.0
• 申請日: 2009-10-27
• 公開（公告）號: CN102209692A
• 公開（公告）日: 2011-10-05
• 發明（設計）人: 阿諾·卡斯泰;圭塔·戈丹;馬塞爾·布勒卡特
• 申請（專利權）人: S.O.I.技術(硅絕緣體技術)公司
• 主分類號: C03C15/00
• 分類號: C03C15/00;C03C17/22;C03C27/06
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李新紅

1.一種通過分子結合將第一襯底(210)結合在第二襯底(220)上的方法，所述方法包括下列步驟：

·在所述第一襯底(210)的結合面(210a)上形成絕緣體層(212)；

·將所述絕緣體層(212)化學-機械拋光；

·通過等離子體處理而活化所述第二襯底(220)的結合表面；和

·通過分子結合將所述兩個襯底(210，220)結合在一起，

所述方法的特征在于，它還包括：在所述化學-機械拋光步驟之后并且在所述結合步驟之前，蝕刻在所述第一襯底上形成的所述絕緣體層(212)的表面(212a)的步驟。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：使用等離子體處理活化在所述第一襯底上形成的所述絕緣體層(212)的表面(212a)，所述活化在所述的蝕刻所述絕緣體層(212)的所述表面的步驟之后進行。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：在所述的蝕刻在所述第一襯底上形成的所述絕緣體層(212)的表面(212a)的步驟以后，在經蝕刻的絕緣體層的所述表面上沉積薄的氧化物層。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：使用等離子體處理活化所述薄的氧化物層的表面。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其特征在于，在所述化學蝕刻過程中，移除所述絕緣體層(212)的至少的厚度。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在所述化學蝕刻過程中，移除所述絕緣體層(212)的在至的范圍內的厚度。

7.根據權利要求5或權利要求6所述的方法，其特征在于，所述蝕刻用SC1的溶液在70℃的溫度進行至少5分鐘的持續時間。

8.根據權利要求5或權利要求6所述的方法，其特征在于，所述化學蝕刻使用1％的氫氟酸溶液在室溫進行少于1分鐘的持續時間。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：在將所述兩個襯底結合在一起之前，在所述第二襯底(220)上形成氧化物層(221)的步驟。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的方法，其特征在于，所述第一襯底(210)包括在其結合表面(210a)的至少一部分上的部件(211a-211d)，并且在于，所述絕緣體層(212)通過沉積形成。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一襯底包含圖像傳感器。

12.根據權利要求10或權利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：在將所述兩個襯底(210，220)結合在一起以后，在低于500℃的溫度進行的用于增強所述結合的退火步驟。

13.根據權利要求1至12中任一項所述的方法，其特征在于，所述第一襯底是SOI型的結構。

14.根據權利要求1至13中任一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：在將所述兩個襯底(210，220)結合在一起以后，在所形成的結構體上進行邊緣軋制步驟。