[發明專利]反向導通半導體裝置

有效

• 申請號: 200980144515.6
• 申請日: 2009-11-04
• 公開（公告）號: CN102203945A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發明（設計）人: A·科普塔;M·拉希莫
• 申請（專利權）人: ABB技術有限公司
• 主分類號: H01L29/08
• 分類號: H01L29/08;H01L29/739;H01L21/331
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 俞華梁;朱海煜

1.一種反向導通半導體裝置(200)，包括共同晶圓(100)上的續流二極管和絕緣柵雙極晶體管，在成品反向導通半導體裝置(200)中具有未修正摻雜的所述晶圓(100)的部分形成基層(101)，其中

所述絕緣柵雙極晶體管包括集電極側(103)和發射極側(104)，并且所述集電極側(103)設置成與所述晶圓(100)的所述發射極側(104)相對，其中

所述基層(101)具有基層厚度(102)，它定義為所述基層(101)在所述集電極側(103)與所述發射極側(104)之間具有的最大厚度，

第一導電類型的第一層(1)和第二導電類型的第二層(2)交替設置在所述集電極側(103)上，其特征在于

所述第一層(1)包括至少一個第一區(10)和至少一個第一引導區(12)，其中每個第一區(10)由第一區邊界包圍并且具有第一區寬度(11)，以及每個第一引導區(12)由第一引導區邊界包圍并且具有第一引導區寬度(13)，

所述第二層(2)包括至少一個第二區(20)和至少一個第二引導區(22)，其中每個第二區(20)由第二區邊界包圍并且具有第二區寬度(21)，以及每個第二引導區(22)由第二引導區邊界包圍并且具有第二引導區寬度(23)，

各區或層寬度定義為所述區或層中的任何點與所述區或層邊界上的點之間的最短距離的最大值的兩倍，

所述第二層(2)在整個平面之上沒有相同結構，

每個第一區寬度(11)小于所述基層厚度(102)，

每個第二區寬度(21)等于或大于所述基層厚度(102)，

每個第一引導區寬度(13)等于或大于所述基層厚度(102)的一倍，

每個第二引導區寬度(23)大于所述基層厚度(102)的兩倍，

每個第二引導區寬度(23)大于每個第一引導區寬度(13)，以及

所述至少一個第二引導區(22)的面積之和大于所述至少一個第一引導區(12)的面積之和。

2.如權利要求1所述的反向導通半導體裝置(200)，其特征在于，所述至少一個第一和/或第二區(10，20)的寬度(11，21)在所述晶圓(100)上改變。

3.如權利要求1所述的反向導通半導體裝置(200)，其特征在于，至少一個第一和/或第二區(10，20)的寬度(11，21)在所述晶圓(100)上是恒定的。

4.如權利要求1至3中的任一項所述的反向導通半導體裝置(200)，其特征在于，所述至少一個第一和第二區(10，20)在所述晶圓(100)上設置為帶狀。

5.如權利要求1至3中的任一項所述的反向導通半導體裝置(200)，其特征在于，每個第一區(10)由第二區(20)完全包圍。

6.如權利要求5所述的反向導通半導體裝置(200)，其特征在于，所述至少一個第一區(10)具有正方形、矩形或圓形形狀。

7.如權利要求1至6中的任一項所述的反向導通半導體裝置(200)，其特征在于，每個第一引導區(12)通過至少一個第一和/或第二區(10，20)與任何第二引導區(22)隔離。

8.如權利要求1至6中的任一項所述的反向導通半導體裝置(200)，其特征在于，至少一個第一引導區(12)附連到第二引導區(22)。

9.如權利要求1至8中的任一項所述的反向導通半導體裝置(200)，其特征在于，所述至少一個第二引導區和/或所述至少一個第一引導區(12，22)具有正方形、矩形、十字形或圓形形狀。

10.如權利要求1至9中的任一項所述的反向導通半導體裝置(200)，其特征在于

所述至少一個第二區和所述至少一個第二引導區(20，22)的面積之和對晶圓面積是在70％直到90％之間。

11.如權利要求1至10中的任一項所述的反向導通半導體裝置(200)，其特征在于

所述至少一個第一區(10)和所述至少一個第一引導區(12)的面積之和對晶圓面積是在10％直到30％之間。

12.如權利要求1至11中的任一項所述的反向導通半導體裝置(200)，其特征在于，所述至少一個第二引導區(22)的面積之和對所述晶圓面積是在10％到30％之間。

13.具有如權利要求1至12中的任一項所述的反向導通半導體裝置(10)的轉換器。