[發明專利]可調濾波器

有效

• 申請號: 200980143824.1
• 申請日: 2009-11-16
• 公開（公告）號: CN102204091A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發明（設計）人: 門田道雄
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H03H9/145
• 分類號: H03H9/145;H03H9/25;H03H9/64
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 樊建中

1.一種可調濾波器，包括：

彈性表面波諧振器，以及

可變電容器，其連接到所述彈性表面波諧振器；

所述彈性表面波諧振器具有：

壓電基板，其由LiNbO₃或LiTaO₃構成，且在上表面上具有凹部；

IDT電極，其通過在所述壓電基板的上表面的凹部中埋入電極材料而形成；以及

ZnO膜，其以覆蓋所述壓電基板的上表面的方式設置。

2.根據權利要求1所述的可調濾波器，其特征在于：

所述壓電基板為歐拉角(0°，100°±20°，0°)的LiNbO₃基板，形成所述IDT電極的電極材料為Al、Ag、Pt、Au、Ta、W、Mo、Ni或Cu。

3.根據權利要求2所述的可調濾波器，其特征在于：

所述彈性表面波諧振器的IDT電極以由Al構成的電極層為主體，設所述ZnO膜的厚度為h、由所述彈性表面波諧振器的IDT電極的電極指間距決定的波長為λ時，所述ZnO膜的標準化膜厚h/λ在0.0007～0.006的范圍內。

4.根據權利要求2所述的可調濾波器，其特征在于：

所述彈性表面波諧振器的IDT電極以由從Ni、Cu及Mo以及以這些金屬為主體的合金中選擇的一種物質構成的電極層為主體，設所述ZnO膜的厚度為h、由IDT電極的電極指間距決定的波長為λ時，所述ZnO膜的標準化膜厚h/λ在0.004～0.045的范圍內。

5.根據權利要求2所述的可調濾波器，其特征在于：

所述彈性表面波諧振器的IDT電極以由從Pt、Au、W、Ta及Ag以及以這些金屬為主體的合金中選擇的一種物質構成的電極層為主體，設所述ZnO膜的厚度為h、由IDT電極的電極指間距決定的波長為λ時，所述ZnO膜的標準化膜厚h/λ在0.005～0.14的范圍內。

6.根據權利要求4或5所述的可調濾波器，其特征在于：

所述IDT電極由所述電極層以及由與構成所述電極層的金屬不同的金屬構成的第二電極層的層疊體構成，該層疊體的平均密度與構成所述電極層的所述金屬或合金的密度大致相同。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的可調濾波器，其特征在于，還包括：

層疊在所述ZnO膜上的SiO₂膜。

8.根據權利要求1至6中任一項所述的可調濾波器，其特征在于，還包括：

在所述壓電基板的上表面與所述ZnO膜之間層疊的SiO₂膜。