[發(fā)明專利]用于無定形或微晶MgO隧道勢壘的鐵磁性優(yōu)先晶粒生長促進(jìn)籽晶層有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980143796.3 | 申請日： | 2009-05-01 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102203971A | 公開（公告）日： | 2011-09-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 崔永碩;大谷裕一 | 申請（專利權(quán)）人： | 佳能安內(nèi)華股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L43/12 | 分類號(hào)： | H01L43/12;G11B5/39;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 無定形 mgo 隧道 鐵磁性 優(yōu)先 晶粒 生長 促進(jìn) 籽晶 | ||
1.一種磁性隧道結(jié)器件的制造方法，所述方法包括：
將含有鐵磁性材料的第一層沉積的第一層沉積步驟；
將隧道勢壘層沉積至所述鐵磁性層上的隧道勢壘層沉積步驟；和
將含有鐵磁性材料的第二層沉積至所述隧道勢壘層上的第二層沉積步驟，
其中所述第一層沉積步驟包括形成第一無定形鐵磁性層的第一無定形鐵磁性層形成步驟，和形成第二結(jié)晶鐵磁性層的第二結(jié)晶鐵磁性層形成步驟，所述第二結(jié)晶鐵磁性層是被所述第一無定形鐵磁性層和所述隧道勢壘層夾置的優(yōu)先晶粒生長促進(jìn)(PGGP)籽晶層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一層中的第一無定形鐵磁性層是含有Co、Fe和B的三元合金。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一層中的第一無定形鐵磁性層以1nm至4nm之間的厚度形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一層中作為PGGP籽晶層的第二結(jié)晶鐵磁性層使用Co、Ni、Fe和B中至少一種形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一層中作為PGGP籽晶層的第二結(jié)晶鐵磁性層是具有體心立方結(jié)構(gòu)的結(jié)晶體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將所述第一層中作為PGGP籽晶層的第二結(jié)晶鐵磁性層沉積為(001)面外織構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一層中作為PGGP籽晶層的第二結(jié)晶鐵磁性層以0.5nm至2nm之間的厚度形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一層中作為PGGP籽晶層的第二結(jié)晶鐵磁性層的厚度等于或小于所述第一層中的第一無定形鐵磁性層的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述隧道勢壘層沉積步驟包括：
將第一金屬層形成于所述作為PGGP籽晶層的第二結(jié)晶鐵磁性層上的第一金屬層形成步驟，和
通過將所述第一金屬層進(jìn)行氧化處理從而形成金屬氧化物層的處理步驟，和
將第二金屬覆蓋層沉積至所述金屬氧化物層上的步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，所述氧化處理包括自由基氧化、等離子體氧化、臭氧氧化和自然氧化。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述隧道勢壘是無定形或具有不良(001)面外織構(gòu)的微晶。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述隧道勢壘層沉積步驟包括：
將部分或完全氧化的金屬氧化物層形成于所述作為PGGP籽晶層的第二結(jié)晶鐵磁性層上的金屬氧化物層形成步驟，
通過將所述金屬氧化物層進(jìn)行氧化處理從而形成完全氧化的金屬氧化物層的處理步驟，和
將金屬覆蓋層沉積至所述完全氧化的金屬氧化物層上的步驟。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述金屬氧化物形成過程是反應(yīng)性濺射并且所述氧化處理包括自由基氧化、等離子體氧化、臭氧氧化和自然氧化。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述通過反應(yīng)性濺射制備的隧道勢壘是無定形或具有不良(001)面外織構(gòu)的微晶。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二層是無定形層，其是含有Co、Fe和B的三元合金。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二層也可以通過沉積步驟制備，所述沉積步驟包括：
形成沉積至所述隧道勢壘層上的作為PGGP籽晶層的第三結(jié)晶鐵磁性層的第三結(jié)晶鐵磁性層形成步驟，和
形成沉積至所述作為PGGP籽晶層的第三結(jié)晶鐵磁性層上的第四無定形鐵磁性層的第四無定形鐵磁性層形成步驟。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述第二層中作為PGGP籽晶層的第三結(jié)晶鐵磁性層使用Co、Ni、Fe和B中至少一種形成。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述第二層中作為PGGP籽晶層的第三結(jié)晶鐵磁性層是具有體心立方結(jié)構(gòu)的結(jié)晶體。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中將所述第二層中作為PGGP籽晶層的第三結(jié)晶鐵磁性層沉積為(001)面外織構(gòu)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于佳能安內(nèi)華股份有限公司，未經(jīng)佳能安內(nèi)華股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200980143796.3/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
