[發明專利]發射輻射的有機器件和用于制造發射輻射的有機器件的方法有效
| 申請號: | 200980143755.4 | 申請日: | 2009-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN102203976A | 公開(公告)日: | 2011-09-28 |
| 發明(設計)人: | 京特·施米德;拉爾夫·克勞澤;斯特凡·塞德爾;奧利佛·魏斯;克里斯托夫·蓋爾迪茨;魯卡·蘇霍寧;烏爾里希·尼德邁爾 | 申請(專利權)人: | 歐司朗光電半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 李德山;周濤 |
| 地址: | 德國雷*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發射 輻射 有機 器件 用于 制造 方法 | ||
1.一種發射輻射的有機器件,
-包括第一電極(1),其具有用于電接觸第一電極(1)的第一電接觸區(10),
-在該第一電極(1)上包括第一有機功能層(31),
-在該第一有機功能層(31)上包括至少一個有機有源區(4),其適于在工作中輻射電磁輻射,以及
-在有源區(4)上包括第二電極(2),
其中
-第一有機功能層(31)包括多個橫向設置的部分區域(30),所述部分區域分別具有帶有第一導電性的第一材料(51)和帶有第二導電性的第二材料(52),
-第二導電性大于第一導電性,以及
-第一有機功能層(31)的所述部分區域(30)中的第二材料(52)的份額與第一材料(51)的份額之比根據距第一電接觸區(10)的橫向距離而變化。
2.根據權利要求1所述的器件,其中,
-第二材料(52)的份額與第一材料(51)的份額之比隨著距第一電接觸區(10)的橫向距離增加而變大。
3.根據上述權利要求之一所述的器件,其中,
-第一有機功能層(31)的所述部分區域(30)的每個部分區域在該部分區域內具有第二材料(52)在第一材料(51)中的均勻分布。
4.根據權利要求1至3之一所述的器件,其中,
-第一有機功能層(31)的所述部分區域(30)的每個部分區域具有帶有第一材料和第二材料(51,52)的第一功能區(35)和帶有第一材料(51)的第二功能區(36),
-與第一材料(51)相比,第二材料(52)的體積濃度在不同的部分區域(30)的第一功能區(35)中相同,以及
-部分區域(30)的第二功能區(36)不含第二材料(52)。
5.根據上述權利要求所述的器件,其中,
-第一功能區(35)具有第一體積,而第二功能區(36)具有第二體積,以及
-第一體積與第二體積之比隨著距第一電接觸區(10)的橫向距離增加而變大。
6.根據上述權利要求之一所述的器件,其中,
-第一材料(51)具有有機導電基體材料,以及
-第二材料(52)作為第一材料(51)中的摻雜材料被引入。
7.根據上述權利要求之一所述的器件,其中,
-第一材料和第二材料(51,52)共同形成電荷轉移復合物。
8.根據上述權利要求所述的器件,其中,
-電荷轉移復合物對于在有源區(4)中產生的電磁輻射是至少部分透明的。
9.根據上述權利要求之一所述的器件,其中,
-在第一有機功能層(31)與有源區(4)之間設置有具有第一材料(51)的第二有機功能層(32),該第二有機功能層(32)不含第二材料(52)并且與有源區(4)直接鄰接。
10.根據上述權利要求之一所述的器件,其中,
-第一有機功能層(31)構建為空穴傳輸層和/或電子傳輸層。
11.根據上述權利要求之一所述的器件,其中,
-第二電極(2)具有用于電接觸第二電極(2)的第二電接觸區(20),以及
-在有源區(4)與第二電極(2)之間設置有第三有機功能層(33),
其中,
-第三有機功能層(33)包括多個橫向設置的部分區域(30),所述部分區域分別具有帶有第三導電性的第三材料(53)和帶有第四導電性的第四材料(54),
-第四導電性大于第三導電性,以及
-第三有機功能層(33)的所述部分區域(30)中的第四材料(54)的份額與第三材料(53)的份額之比根據距第一電接觸區(10)的橫向距離和/或根據距第二電接觸區(20)的橫向距離而變化。
12.一種用于制造根據權利要求1至11之一所述的發射輻射的有機器件的方法,其包括以下步驟:
A)提供具有第一電接觸區(10)的第一電極(1),
B)施加包括多個橫向設置的部分區域(30)的第一有機功能層(31),所述部分區域具有第一材料和第二材料(51,52),
C)在第一有機功能層(31)上施加有源區(4),以及
D)在有源區(31)上施加第二電極(2)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





