[發明專利]用于半導體元件的支撐體、半導體元件和用于制造支撐體的方法

有效

• 申請號: 200980143733.8
• 申請日: 2009-10-22
• 公開（公告）號: CN102203940A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發明（設計）人: M·齊茨爾斯佩格;S·米策爾
• 申請（專利權）人: 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L31/0203;H01L33/48
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 湯春龍;朱海煜

1.一種用于半導體元件的支撐體，所述支撐體具有能導電的導體層和連接層，所述導體層和連接層通過朝向彼此的主面彼此連接，其中所述連接層完全能導電并且至少相對于所述導體層的部分電絕緣或者所述連接層至少部分地電絕緣，其中所述導體層、所述連接層或不僅所述導體層而且所述連接層具有至少一個變薄的區域，所述導體層和連接層在所述至少一個變薄的區域中的層厚度小于所述導體層和連接層的最大層厚度。

2.根據權利要求1所述的支撐體，所述支撐體具有第一側，其中在所述第一側上，封裝料成形到所述導體層和所述連接層上，所述封裝料具有硅酮。

3.根據權利要求2所述的支撐體，所述支撐體具有與所述第一側對置的第二側，其中所述導體層在所述第二側上在這樣的區域中至少部分地沒有所述封裝料和電絕緣材料，其中在所述第一側上，封裝料成形到所述導體層上。

4.根據前述權利要求中任一項所述的支撐體，其中，所述導體層具有至少兩個彼此電絕緣的部分，所述部分形成用于半導體元件的第一電連接導體和第二電連接導體，以及所述部分借助所述連接層的至少一個部分彼此機械連接。

5.根據前述權利要求中任一項所述的支撐體，其中，所述導體層是第一引線框的一部分，所述連接層是第二引線框的一部分，以及所述兩個引線框電絕緣地彼此連接。

6.根據前述權利要求中任一項所述的支撐體，其中，不僅所述導體層而且所述連接層分別具有至少一個變薄的區域，所述導體層和連接層在所述至少一個變薄的區域中的層厚度小于所述導體層和連接層的最大層厚度，以及尤其是，所述導體層的所述變薄的區域橫向地與所述連接層的所述變薄的區域重疊。

7.根據前述權利要求中任一項所述的支撐體，其中，所述連接層和/或所述導體層具有缺口和鄰接所述缺口的變薄的區域。

8.根據前述權利要求中任一項所述的支撐體，其中，所述連接層具有缺口以及所述導體層具有變薄的區域，以及所述缺口橫向地與所述導體層的所述變薄的區域重疊。

9.根據前述權利要求中任一項所述的支撐體，其中，所述連接層具有缺口和鄰接所述缺口的部分，所述部分橫向地超過所述導體層的一部分，其中在所述部分之間的區域沒有支撐體的材料。

10.根據前述權利要求中任一項所述的支撐體，其中，在一邊緣上存在所述連接層的一部分，所述部分橫向地超過所述導體層的一部分，并且在所述部分之間的區域沒有支撐體的材料。

11.根據前述權利要求中任一項所述的支撐體，其中，在所述導體層的一部分上設置有芯片安裝區域，以及所述連接層在所述芯片安裝區域的側上跟隨所述導體層，尤其是存在至少一個內壁，所述內壁的主延伸面傾斜于所述支撐體的主延伸面或電連接導體的導體層分布并且與所述主延伸面相比朝向所述芯片安裝區域傾斜。

12.根據前述權利要求中任一項所述的支撐體，其中，所述導體層和所述連接層借助連接介質彼此連接。

13.一種具有根據前述權利要求中任一項所述的支撐體的半導體元件，其中，所述導體層在第一側上設有半導體芯片和封裝料，所述封裝料包圍所述半導體芯片并且成形到所述支撐體上。

14.根據權利要求13所述的半導體元件，其中，所述導體層在與所述第一側對置的第二側上在橫向地與所述封裝料和/或與所述封裝料和所述半導體芯片重疊的區域中沒有封裝料和電絕緣材料。

15.一種用于制造支撐體的方法，所述方法包括下述步驟：

準備導體層和連接層，所述導體層和所述連接層分別具有兩個彼此背離的主面；

通過所述導體層和所述連接層的兩個主面以下述方式連接所述導體層與所述連接層，即所述主面朝向彼此，其中所述連接層能導電并且相對于所述連接層電絕緣或者所述連接層電絕緣；

在所述導體層、所述連接層或者不僅所述導體層而且所述連接層中形成至少一個變薄的區域，在所述至少一個變薄的區域中相應層的層厚度小于其最大層厚度。