[發明專利]光學封裝中的原位污染物去除

無效

• 申請號: 200980143645.8
• 申請日: 2009-10-29
• 公開（公告）號: CN102197553A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: U-B·格斯
• 申請（專利權）人: 康寧股份有限公司
• 主分類號: H01S5/06
• 分類號: H01S5/06
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 毛力

1.一種控制光學封裝的方法，所述光學封裝包括半導體激光器、波長轉換器件、配置為將所述半導體激光器的輸出光束光耦合至所述波長轉換器件的輸入面的波導部分中的一個或多個可調節光學元件，所述方法包括在相對低功率的污染物去除模式和相對高功率的波長轉換模式下的操作，其中：

所述波長轉換器件的波導部分包括污染物，所述污染物呈現激光功率密度燃燒閾值和激光功率密度蒸發閾值，在所述燃燒閾值之上時所述污染物可能燃燒，而在所述蒸發閾值之上時所述污染物可能蒸發；

在相對高功率的波長轉換模式下，所述波長轉換器件的輸入面上所述半導體激光器的輸出光束的功率密度至少周期性地超過所述污染物的激光功率密度燃燒閾值；

在相對低功率的污染物去除模式下，利用所述可調節光學元件使所述半導體激光器的輸出光束橫跨所述波長轉換器件的輸入面的波導部分掃描，同時保持所述波長轉換器件的輸入面上所述半導體激光器的輸出光束的功率密度低于所述激光功率密度燃燒閾值且高于所述激光功率密度蒸發閾值；以及

所述光學封裝在相對低功率的污染物去除模式下工作足夠長時間以減少污染物在相對高功率的波長轉換模式工作期間在所述波長轉換器件的波導部分中燃燒的可能性。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在相對高功率的波長轉換模式下，所述方法包括：

監測所述波長轉換器件的波長轉換輸出的強度；以及

利用所述可調節光學元件使所監測強度的最優值與表示所述波長轉換器件的輸入面的波導部分上所述半導體激光器的輸出波束位置的最優坐標相關聯。

3.一種控制光學封裝的方法，所述光學封裝包括半導體激光器、波長轉換器件、配置為將所述半導體激光器的輸出光束光耦合至所述波長轉換器件的輸入面的波導部分中的一個或多個可調節光學元件，所述方法包括在相對低功率的污染物去除模式和相對高功率的波長轉換模式下的操作，其特征在于：

所述波長轉換器件的輸入面上所述半導體激光器的輸出光束在相對高功率的波長轉換模式下的平均功率密度超過所述波長轉換器件的輸入面上所述半導體激光器的輸出光束在相對低功率的污染物去除模式下的功率密度；

在相對高功率的波長轉換模式下，利用所述可調節光學元件使所述波長轉換器件的波長轉換輸出的最優強度值與表示所述波長轉換器件的輸入面的波導部分上所述半導體激光器的輸出光束位置的最優坐標相關聯；

所述波長轉換器件的輸入面的波導部分包括污染物，且在相對低功率的污染物去除模式下，利用所述可調節光學元件使所述半導體激光器的輸出光束橫跨所述波長轉換器件的輸入面的波導部分掃描，同時保持所述波長轉換器件的輸入面上所述輸出光束的功率密度低于所述波長轉換器件的輸入面上所述輸出光束在相對高功率的波長轉換模式下的平均功率密度；以及

所述光學封裝在相對低功率的污染物去除模式下工作足夠長時間以蒸發所述污染物。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：

所述半導體激光器的輸出光束的功率密度在相對高功率的波長轉換模式下根據輸出波束中編碼的數據而變化；以及

所述半導體激光器的輸出光束的功率密度在相對低功率的污染物去除模式下是相對恒定的。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于：

所述波長轉換器件的輸入面上所述半導體激光器的輸出光束的功率密度在相對高功率的波長轉換模式下處于多個MW/cm²或更高的量級上；以及

所述波長轉換器件的輸入面上所述半導體激光器的輸出光束的功率密度在相對低功率的污染物去除模式下處于1MW/cm²或更低的量級上。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于：

所述波長轉換器件的輸入面上所述半導體激光器的輸出光束的功率密度在相對高功率的波長轉換模式下超過約5MW/cm²；以及

所述波長轉換器件的輸入面上所述半導體激光器的輸出光束的功率密度在相對低功率的污染物去除模式下小于約1MW/cm²。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述波長轉換器件的輸入面上所述半導體激光器的輸出光束在相對高功率的波長轉換模式下的功率密度至小至少約為所述波長轉換器件的輸入面上所述半導體激光器的輸出光束在相對低功率的污染物去除模式下的功率密度的兩倍。