[發(fā)明專利]比較器以及模數(shù)轉(zhuǎn)換器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980143617.6
• 申請(qǐng)日: 2009-10-28
• 公開（公告）號(hào): CN102204097A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 松澤昭;宮原正也
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 國(guó)立大學(xué)法人東京工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): H03K5/08
• 分類號(hào): H03K5/08;H03M1/36
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種比較器，具備：

差動(dòng)放大電路部，其被輸入第1輸入電壓信號(hào)、第2輸入電壓信號(hào)、和時(shí)鐘信號(hào)，根據(jù)所述時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行動(dòng)作，輸出分別與所述第1輸入電壓信號(hào)以及所述第2輸入電壓信號(hào)的值相對(duì)應(yīng)且將所述第1輸入電壓信號(hào)以及所述第2輸入電壓信號(hào)放大后的第1輸出電壓信號(hào)以及第2輸出電壓信號(hào)；以及

差動(dòng)鎖存電路部，其根據(jù)所述第1輸出電壓信號(hào)以及所述第2輸出電壓信號(hào)進(jìn)行動(dòng)作，保持且輸出所述第1輸入電壓信號(hào)以及所述第2輸入電壓信號(hào)的比較結(jié)果。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的比較器，其特征在于，

所述差動(dòng)放大電路部具有溝道極性為第1極性的第1MOS晶體管～第3MOS晶體管、以及溝道極性為與所述第1極性不同的第2極性的第4MOS晶體管和第5MOS晶體管，

所述第1MOS晶體管的柵極端子連接在所述第1輸入電壓信號(hào)的輸入端子上，

所述第2MOS晶體管的柵極端子連接在所述第2輸入電壓信號(hào)的輸入端子上，

所述第3MOS晶體管的柵極端子連接在所述時(shí)鐘信號(hào)的輸入端子上，所述第3MOS晶體管的輸入側(cè)端子連接在所述第1MOS晶體管以及第2MOS晶體管的輸出側(cè)端子上，且所述第3MOS晶體管的輸出側(cè)端子被接地，

所述第4MOS晶體管的柵極端子連接在所述時(shí)鐘信號(hào)的輸入端子上，所述第4MOS晶體管的輸入側(cè)端子連接在電源電壓的輸入端子上，且所述第4MOS晶體管的輸出側(cè)端子連接在所述第1MOS晶體管的輸入側(cè)端子上，

所述第5MOS晶體管的柵極端子連接在所述時(shí)鐘信號(hào)的輸入端子上，所述第5MOS晶體管的輸入側(cè)端子連接在所述電源電壓的輸入端子上，且所述第5MOS晶體管的輸出側(cè)端子連接在所述第2MOS晶體管的輸入側(cè)端子上，

從所述第1MOS晶體管的輸入側(cè)端子與所述第4MOS晶體管的輸出側(cè)端子之間的第1連接點(diǎn)輸出所述第1輸出電壓信號(hào)，且從所述第2MOS晶體管的輸入側(cè)端子與所述第5MOS晶體管的輸出側(cè)端子之間的第2連接點(diǎn)輸出所述第2輸出電壓信號(hào)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的比較器，其特征在于，

所述差動(dòng)鎖存電路部具有溝道極性為第1極性的第6MOS晶體管～第9MOS晶體管、以及溝道極性為與所述第1極性不同的第2極性的第10MOS晶體管～第13MOS晶體管，

所述第6MOS晶體管的柵極端子連接在所述第10MOS晶體管的柵極端子上，所述第6MOS晶體管的輸入側(cè)端子連接在所述第10MOS晶體管的輸出側(cè)端子上，且所述第6MOS晶體管的輸出側(cè)端子被接地，

所述第7MOS晶體管的柵極端子連接在所述第11MOS晶體管的柵極端子上，所述第7MOS晶體管的輸入側(cè)端子連接在所述第11MOS晶體管的輸出側(cè)端子上，且所述第7MOS晶體管的輸出側(cè)端子被接地，

所述第6MOS晶體管的輸入側(cè)端子與所述第10MOS晶體管的輸出側(cè)端子之間的第3連接點(diǎn)、以及所述第7MOS晶體管的輸入側(cè)端子與所述第11MOS晶體管的輸出側(cè)端子之間的第4連接點(diǎn)分別連接在所述第7MOS晶體管的柵極端子與所述第11MOS晶體管的柵極端子之間的第5連接點(diǎn)、以及所述第6MOS晶體管的柵極端子與所述第10MOS晶體管的柵極端子之間的第6連接點(diǎn)上，

所述第8MOS晶體管的柵極端子連接在所述差動(dòng)放大電路部?jī)?nèi)的所述第1輸出電壓信號(hào)的輸出端子上，所述第8MOS晶體管的輸入側(cè)端子連接在所述第6MOS晶體管的輸入側(cè)端子上，且所述第8MOS晶體管的輸出側(cè)端子被接地，

所述第9MOS晶體管的柵極端子連接在所述差動(dòng)放大電路部?jī)?nèi)的所述第2輸出電壓信號(hào)的輸出端子上，第9MOS晶體管的輸入側(cè)端子連接在所述第7MOS晶體管的輸入側(cè)端子上，且第9MOS晶體管的輸出側(cè)端子被接地，

所述第12MOS晶體管的柵極端子連接在所述差動(dòng)放大電路部?jī)?nèi)的所述第1輸出電壓信號(hào)的輸出端子上，所述第12MOS晶體管的輸入側(cè)端子連接在電源電壓的輸入端子上，且所述第12MOS晶體管的輸出側(cè)端子連接在所述第10MOS晶體管的輸入側(cè)端子上，

所述第13MOS晶體管的柵極端子連接在所述差動(dòng)放大電路部?jī)?nèi)的所述第2輸出電壓信號(hào)的輸出端子上，所述第13MOS晶體管的輸入側(cè)端子連接在所述電源電壓的輸入端子上，且所述第13MOS晶體管的輸出側(cè)端子連接在所述第11MOS晶體管的輸入側(cè)端子上，

從所述第3連接點(diǎn)以及所述第4連接點(diǎn)輸出所述比較結(jié)果。