[發(fā)明專利]EUV光刻用反射型掩模坯料

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980143609.1
• 申請日: 2009-10-28
• 公開（公告）號: CN102203906A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林和幸
• 申請（專利權(quán)）人: 旭硝子株式會社
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;G03F1/16
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種EUV光刻用反射型掩模坯料，其特征在于，其在襯底上依次形成有用于反射EUV光的反射層、和用于吸收EUV光的吸收體層、和對掩模圖案檢查光為低反射的低反射層，其中所述檢查光的波長為190～260nm，

所述低反射層至少含有鉭(Ta)、氧(O)和氫(H)，

在所述低反射層中，Ta和O的總含有率為85～99.9at％，H的含有率為0.1～15at％。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，在所述低反射層中，Ta與O的組成比為Ta∶O＝1∶8～3∶1。

3.一種EUV光刻用反射型掩模坯料，其特征在于，其在襯底上依次形成有用于反射EUV光的反射層、和用于吸收EUV光的吸收體層、和對掩模圖案檢查光為低反射的低反射層，其中所述檢查光的波長為190～260nm，

所述低反射層至少含有鉭(Ta)、氧(O)、氮(N)和氫(H)，

在所述低反射層中，Ta、O和N的總含有率為85～99.9at％，H的含有率為0.1～15at％。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，在所述低反射層中，Ta與(O+N)的組成比為Ta∶(O+N)＝1∶8～3∶1。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任一項所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，所述低反射層表面的表面粗糙度(rms)為0.5nm以下。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中的任一項所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，所述低反射層表面的晶體結(jié)構(gòu)為無定形。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中的任一項所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，所述低反射層的膜厚為3～30nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中的任一項所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，所述吸收體層以鉭(Ta)為主要成分。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中的任一項所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，所述吸收體層以鉭(Ta)為主要成分，且含有選自鉿(Hf)、硅(Si)、鋯(Zr)、鍺(Ge)、硼(B)、氮(N)和氫(H)中的至少一種元素。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中的任一項所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，所述吸收體層的氧(O)的含有率低于25at％。

11.根據(jù)權(quán)利要求1～10中的任一項所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，所述吸收體層與所述低反射層的總膜厚為30～200nm。

12.根據(jù)權(quán)利要求1～11中的任一項所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，在所述反射層與所述吸收體層之間形成有用于在對所述吸收體層形成圖案時保護所述反射層的保護層，

所述掩模圖案的波長為190～260nm的檢查光在所述保護層表面的反射光與在所述低反射層表面的反射光的反差為60％以上。

13.根據(jù)權(quán)利要求1～12中的任一項所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，所述低反射層中的氫的含量比所述吸收體層中的氫的含量多1at％以上。

14.根據(jù)權(quán)利要求1～13中的任一項所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，所述掩模圖案的波長為190～260nm的檢查光在所述低反射層表面的反射率為15％以下。

15.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，所述低反射層通過在包含惰性氣體、氧(O)氣和氫(H)氣的氣氛中實施使用Ta靶的濺射法來形成，所述惰性氣體包含氦(He)、氬(Ar)、氖(Ne)、氪(Kr)、氙(Xe)中的至少一種氣體。

16.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的EUV光刻用反射型掩模坯料，其中，所述低反射層通過在包含惰性氣體、氧(O)氣、氮(N)氣和氫(H)氣的氣氛中實施使用Ta靶的濺射法來形成，所述惰性氣體包含氦(He)、氬(Ar)、氖(Ne)、氪(Kr)、氙(Xe)中的至少一種氣體。