[發明專利]改善P3I腔室中共形摻雜的方法

有效

• 申請號: 200980143441.4
• 申請日: 2009-10-27
• 公開（公告）號: CN102203912A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發明（設計）人: 彼得·I·波爾什涅夫;馬修·D·斯科特奈伊-卡斯爾;馬耶德·阿里·福阿德
• 申請（專利權）人: 應用材料股份有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;王金寶

1.一種通過等離子體浸沒離子注入處理而注入離子到基板中的方法，所述方法包含以下步驟：

提供基板至處理腔室中，所述基板包括具有一或多個形成在其中的特征結構的基板表面，且每一特征結構具有一或多個水平表面和一或多個垂直表面；

通過各向同性工序而將來自等離子體的離子注入到至少一個所述水平表面中和到至少一個所述垂直表面中；以及

通過各向異性工序而蝕刻所述基板表面和所述一或多個水平表面。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述將來自等離子體的離子注入以及所述蝕刻所述一或多個水平表面是在一或多個循環中順序執行。

3.一種通過等離子體浸沒離子注入處理而注入離子到基板中的方法，所述方法包含以下步驟：

提供基板至處理腔室中，所述基板包括具有一或多個形成在其中的特征結構的基板表面，且每一特征結構具有一或多個水平表面和一或多個垂直表面；

從包含適于產生離子的反應氣體的氣體混合物產生等離子體；

在所述基板表面上以及在至少一個所述水平表面上從所述等離子體來沉積材料層；

通過各向同性工序而將來自所述等離子體的離子注入至所述基板中，并將來自所述等離子體的離子注入至至少一個所述水平表面和至少一個所述垂直表面中；

從至少一個所述水平表面濺射一部分的所述材料層、一部分的注入離子或其組合至至少一個所述垂直表面；以及

通過各向同性工序而蝕刻所述基板表面與所述一或多個水平表面和所述一或多個垂直表面。

4.如權利要求3所述的方法，其中所述反應氣體包含選自由下列所構成的群組的氣體：含硼氣體、含砷氣體、含磷氣體和其組合。

5.如權利要求4所述的方法，其中所述反應氣體包含選自由下列所構成的群組的氣體：B₂H₆、AsH₃、PH₃和其組合。

6.如權利要求1或3所述的方法，其中所述蝕刻所述一或多個水平表面包含：

提供選自含鹵素氣體的蝕刻氣體；以及

從所述含鹵素氣體產生等離子體。

7.如權利要求6所述的方法，其中所述蝕刻氣體還包含惰性氣體或氫氣。

8.如權利要求3所述的方法，其中所述將來自所述等離子體的離子注入、所述濺射所述注入離子以及所述蝕刻所述一或多個水平表面是在一或多個循環中順序執行。

9.如權利要求3所述的方法，其中所述在基板表面上從所述氣體混合物沉積材料以及所述通過各向同性工序而將來自所述等離子體的離子注入至所述基板中是同時執行。

10.如權利要求1或3所述的方法，其中所述離子注入到小于的深度。

11.一種通過等離子體浸沒離子注入處理而注入離子到基板中的方法，所述方法包含以下步驟：

提供基板至處理腔室中，所述基板包括具有一或多個形成在其中的特征結構的基板表面，且每一特征結構具有一或多個水平表面和一或多個垂直表面；

在所述基板表面上以及在基板特征結構的至少一個所述水平表面上沉積材料層；

從包含適于產生離子的反應氣體的氣體混合物產生等離子體；

通過各向同性工序而將來自所述等離子體的離子注入到所述基板中，以及將來自所述等離子體的離子注入到至少一個所述水平表面中和至少一個所述垂直表面中；以及

從至少一個所述水平表面濺射一部分的所述材料層、一部分的注入離子或其組合至至少一個所述垂直表面。

12.如權利要求11所述的方法，其中沉積所述材料層的步驟以及將來自所述等離子體的離子注入的步驟是同時執行。

13.如權利要求3或11所述的方法，其中濺射注入離子的步驟包括將所述基板表面暴露給惰性氣體等離子體。

14.如權利要求11所述的方法，其中沉積所述材料層的步驟以及將來自所述等離子體的離子注入的步驟是在相同工序中執行。

15.如權利要求11所述的方法，其中沉積所述材料層的步驟、將來自所述等離子體的離子注入的步驟、以及濺射步驟是在相同腔室中執行。