[發明專利]在自旋轉移力矩磁阻隨機存取存儲器中加電期間的數據保護

有效

• 申請號: 200980143154.3
• 申請日: 2009-11-04
• 公開（公告）號: CN102197433A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 楊賽森;升·H·康
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種自旋轉移力矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)陣列，其包含：

多個位單元，其各自耦合到多個位線及字線中的一者；

加電控制器，其經配置以在加電期間提供加電控制信號以控制所述位線或所述字線中的至少一者的電壓電平；

第一多個預充電晶體管，其分別耦合到所述多個位線或所述多個字線中的至少一者，每一預充電晶體管經配置以基于所述加電控制信號而將對應的位線或字線放電到所要電壓電平。

2.根據權利要求1所述的STT-MRAM陣列，其中所述所要電壓電平小于所述位單元的寫入閾值。

3.根據權利要求1所述的STT-MRAM陣列，其中所述所要電壓電平為接地電壓電平。

4.根據權利要求1所述的STT-MRAM陣列，其中所述加電控制信號耦合到每一預充電晶體管的柵極。

5.根據權利要求1所述的STT-MRAM陣列，其進一步包含：

第二多個預充電晶體管，其分別耦合到所述多個位線及所述多個字線中的另一者，每一預充電晶體管經配置以基于所述加電控制信號而將對應的位線或字線放電到所要電壓電平。

6.根據權利要求5所述的STT-MRAM陣列，其中所述所要電壓電平小于所述位單元的寫入閾值。

7.根據權利要求5所述的STT-MRAM陣列，其中所述所要電壓電平為接地電壓電平。

8.根據權利要求5所述的STT-MRAM陣列，其中所述加電控制信號耦合到每一預充電晶體管的所述柵極。

9.根據權利要求1所述的STT-MRAM陣列，其中每一位單元包含：

存儲元件；以及

字線晶體管，其耦合到所述存儲元件。

10.根據權利要求9所述的STT-MRAM陣列，其中所述存儲組件為磁性隧道結(MTJ)，且其中所述字線晶體管與所述MTJ串聯耦合。

11.根據權利要求1所述的STT-MRAM陣列，其中所述加電控制器經配置以基于從系統控制器接收到的加電信息而提供所述加電控制信號持續一時間量。

12.根據權利要求1所述的STT-MRAM陣列，其中所述加電控制器經配置以提供所述加電控制信號持續一預定時間量。

13.一種在自旋轉移力矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)陣列的加電期間保護數據的方法，其包含：

在加電期間向第一多個預充電晶體管提供加電控制信號；以及

響應于所述加電控制信號而將多個位線或多個字線中的至少一者保持到所要電壓電平。

14.根據權利要求13所述的方法，其進一步包含：

響應于所述加電控制信號而將所述多個位線及所述多個字線中的另一者保持到所述所要電壓電平。

15.根據權利要求13所述的方法，其中所述所要電壓電平小于位單元的寫入閾值。

16.根據權利要求13所述的方法，其中所述所要電壓電平為接地電壓電平。

17.根據權利要求13所述的方法，其進一步包含：

從系統控制器接收加電信息；以及

基于所述所接收到的加電信息在一時間量之后去活所述加電控制信號。

18.根據權利要求13所述的方法，其進一步包含：

在一預定時間量之后去活所述加電控制信號。

19.一種用于在自旋轉移力矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)陣列的加電期間保護數據的設備，其包含：

用于在加電期間向第一多個預充電晶體管提供加電控制信號的裝置；以及

用于響應于所述加電控制信號而將多個位線或多個字線中的至少一者保持到所要電壓電平的裝置。

20.根據權利要求19所述的設備，其進一步包含：

用于響應于所述加電控制信號而將所述多個位線及所述多個字線中的另一者保持到所述所要電壓電平的裝置。

21.根據權利要求19所述的設備，其中所述所要電壓電平小于位單元的寫入閾值。

22.根據權利要求19所述的設備，其中所述所要電壓電平為接地電壓電平。