[發明專利]存儲器裝置及形成方法

有效

• 申請號: 200980143003.8
• 申請日: 2009-09-15
• 公開（公告）號: CN102197484A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 劉峻;古爾特杰·S·桑胡
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種方法，其包含：

提供具有含金屬導電互連的集成電路；

在所述集成電路上方形成電絕緣體材料；

提供含有展現第一導電性類型的半導體材料的襯底；

僅在所述半導體材料的一部分中放置摻雜劑；

將所述摻雜劑活化以提供含有所述經活化摻雜劑的經摻雜區，所述經摻雜區展現與所述第一導電性類型相對的第二導電性類型且所述經摻雜區提供其中所述半導體材料的一部分仍展現所述第一導電性類型的結；

在將所述摻雜劑活化之后，將所述襯底接合到所述絕緣體材料；

移除所述襯底的接合到所述絕緣體材料的至少一些部分以暴露下伏絕緣體材料中的至少一些材料；以及

在所述移除之后，形成存儲器單元，所述存儲器單元具有均電串聯連接的字線、存取二極管、含有硫族化物相變材料的狀態可變存儲器元件及位線，所述存取二極管含有如p-n結的結，所述位線與所述字線重疊于交叉點處，且所述存取二極管及存儲器元件于所述交叉點處在所述字線與所述位線之間延伸。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述提供所述集成電路包含形成另一存儲器單元，所述另一存儲器單元具有均電串聯連接的另一字線、另一存取二極管、含有硫族化物相變材料的另一狀態可變存儲器元件及另一位線，所述另一位線與所述另一字線重疊于另一交叉點處且所述另一存取二極管及另一存儲器元件于所述另一交叉點處在所述另一字線與所述另一位線之間延伸。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述絕緣體材料是選自由以下各物組成的群組：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅及其組合。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述互連展現若干特性以使得：如果暴露到所述活化中所使用的至少一個操作條件，則所述互連的物理結構將被變更。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述將所述襯底中的所述摻雜劑活化遠離所述集成電路而發生。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述活化包含加熱到大于400℃。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體材料包含單晶材料且所述p-n結位于所述單晶材料內。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一導電性類型為p型且所述第二導電性類型為n型。

9.根據權利要求1所述的方法，其中提供所述襯底包含提供單晶硅襯底，所述單晶硅襯底展現如所述半導體材料的p型導電性。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述接合包含將所述襯底的所述經摻雜區接合到所述絕緣體材料。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述接合包含將所述襯底直接接合到所述絕緣體材料。

12.根據權利要求1所述的方法，其中所述接合包含在所述襯底與所述絕緣體材料之間提供粘合材料。

13.根據權利要求1所述的方法，其中所述接合在不高于400℃下發生。

14.根據權利要求1所述的方法，其中所述集成電路占據但未延伸超出所述集成電路的橫向范圍，且所述接合包含在所述襯底與所述絕緣體材料之間形成接合界面，所述接合界面在所述橫向范圍上為連續且大體上平面的。

15.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述存儲器單元包含在所述字線上方形成所述存取二極管，在所述存取二極管上方形成所述存儲器元件，及在所述存儲器元件上方形成所述位線。

16.根據權利要求1所述的方法，其進一步包含在所述襯底與所述絕緣體材料之間于所述絕緣體材料上方形成導電線。