[發(fā)明專利]光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法及制膜裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980142652.6
• 申請日: 2009-10-02
• 公開（公告）號(hào): CN102197493A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宮原弘臣;山口賢剛
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱重工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L31/04
• 分類號(hào): H01L31/04;H01L21/205
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 岳雪蘭

1.一種光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，用于在基板上利用等離子體CVD法形成包含i層的晶體硅類光電轉(zhuǎn)換層，該制造方法的特征在于，

所述i層的形成工序具有初始層制膜階段和塊體i層制膜階段，

在所述初始層制膜階段，

所述初始層制膜階段下的硅烷類氣體流量比所述塊體i層制膜階段下的硅烷類氣體流量低，

將所述初始層制膜階段的制膜時(shí)間設(shè)為所述i層的全部制膜時(shí)間的0.5％以上20％以下，

將所述初始層制膜階段下的SiH^*發(fā)光強(qiáng)度設(shè)為所述塊體i層制膜階段中的穩(wěn)定后的SiH^*發(fā)光強(qiáng)度的80％以下，

在上述條件下進(jìn)行所述初始層的制膜。

2.如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其特征在于，

將所述初始層制膜階段下的硅烷類氣體流量設(shè)為所述塊體i層制膜階段下的硅烷類氣體流量的20％以上65％以下，進(jìn)行所述初始層的制膜。

3.如權(quán)利要求1或2所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其特征在于，

所述i層在減壓環(huán)境3000Pa以下以及等離子體產(chǎn)生頻率為40MHz以上100MHz以下的條件下進(jìn)行制膜。

4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其特征在于，

所述塊體i層的制膜速度為1.5nm/s以上。

5.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其特征在于，包含如下工序：

在所述基板上形成透明電極層的工序；

在該透明電極層上形成以非晶硅為主的p層、i層、n層依次層疊的第一單元層的工序；

在該第一單元層上形成以透明導(dǎo)電性氧化物為主的中間接觸層的工序；

在該中間接觸層上形成以晶體硅為主的p層、所述i層、n層依次層疊的第二單元層的工序；

在該第二單元層上形成背面電極層的工序。

6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其特征在于，

所述基板為1m²以上的大面積基板。

7.一種制膜裝置，使用等離子體CVD法進(jìn)行晶體硅類光電轉(zhuǎn)換層的制膜，所述晶體硅類光電轉(zhuǎn)換層包含由初始層和塊體i層構(gòu)成的i層，所述制膜裝置的特征在于，至少具有：

制膜室；

硅烷類氣體供給部，其向該制膜室內(nèi)供給硅烷類氣體；

發(fā)光強(qiáng)度計(jì)測部，其對所述i層的制膜期間的SiH^*發(fā)光強(qiáng)度進(jìn)行計(jì)測；以及

氣體流量控制部，其對自所述硅烷類氣體供給部供給的硅烷類氣體流量進(jìn)行調(diào)節(jié)，以使由所述發(fā)光強(qiáng)度計(jì)測部計(jì)測的所述初始層的SiH^*發(fā)光強(qiáng)度達(dá)到規(guī)定值。