[發(fā)明專利]有源矩陣基板、液晶面板、液晶顯示單元、液晶顯示裝置、電視接收機(jī)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980142649.4
• 申請(qǐng)日: 2009-08-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102203663A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 津幡俊英
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 夏普株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G02F1/1343
• 分類號(hào): G02F1/1343;G02F1/1368
• 代理公司: 北京市隆安律師事務(wù)所 11323
• 代理人: 權(quán)鮮枝

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及在1個(gè)像素區(qū)域中設(shè)置多個(gè)像素電極的有源矩陣基板以及使用該有源矩陣基板的液晶顯示裝置(像素分割方式)。

背景技術(shù)

為了提高液晶顯示裝置的γ特性的視場(chǎng)角依存性(例如，抑制畫(huà)面的泛白等)，提出如下液晶顯示裝置：將在1個(gè)像素內(nèi)所設(shè)置的多個(gè)子像素控制為不同的亮度，通過(guò)這些子像素的面積灰度級(jí)來(lái)顯示中間灰度級(jí)(像素分割方式，例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

在專利文獻(xiàn)1記載的有源矩陣基板(參照?qǐng)D31)中，在1個(gè)像素區(qū)域中配置2個(gè)像素電極190a、190b，晶體管的源極電極178連接到數(shù)據(jù)線171，漏極電極175通過(guò)接觸孔185連接到像素電極190a。另外，耦合電極176通過(guò)擴(kuò)展部177連接到晶體管的漏極電極175。并且，耦合電極176與像素電極190b隔著保護(hù)膜(溝道保護(hù)膜)重疊，通過(guò)形成于該重疊部分的電容(耦合電容)，連接到晶體管的像素電極109a與成為電漂浮的像素電極109b連接(電容耦合型的像素分割方式)。在使用該有源矩陣基板的液晶顯示裝置中，可以將與像素電極190a對(duì)應(yīng)的子像素作為亮子像素，將與像素電極190b對(duì)應(yīng)的子像素作為暗子像素，可以通過(guò)這些亮子像素、暗子像素的面積灰度級(jí)來(lái)顯示中間灰度級(jí)。但是，在該專利文獻(xiàn)1的結(jié)構(gòu)中，存在在耦合電極176與像素電極190b的重疊部分兩者易于短路的問(wèn)題。

在此，在專利文獻(xiàn)2中，公開(kāi)了如下結(jié)構(gòu)：成為電漂浮的像素電極(與暗子像素對(duì)應(yīng)的像素電極)連接到與掃描信號(hào)線形成于同層(基板上)的下層電容電極，連接到晶體管的像素電極連接到與數(shù)據(jù)信號(hào)線形成于同層(柵極絕緣膜上)的上層電容電極，上層電容電極與下層電容電極隔著柵極絕緣膜重疊，在該重疊部分形成耦合電容。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本公開(kāi)專利公報(bào)“特開(kāi)2006-221174號(hào)公報(bào)(公開(kāi)日：2006年8月24日)”

專利文獻(xiàn)2：日本公開(kāi)專利公報(bào)“特開(kāi)2005-346082號(hào)公報(bào)(公開(kāi)日：2005年12月15日)”

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問(wèn)題

但是，本申請(qǐng)的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)：在專利文獻(xiàn)2記載的有源矩陣基板中，起因于與掃描信號(hào)線形成于同層的下層電容電極成為電漂浮，與暗子像素對(duì)應(yīng)的像素電極變得易于燒結(jié)。

根據(jù)本發(fā)明，其目的在于：在電容耦合型的像素分割方式的有源矩陣基板中，抑制耦合電容部分的短路且緩和與暗子像素對(duì)應(yīng)的像素電極的燒結(jié)。

用于解決問(wèn)題的方案

本發(fā)明的有源矩陣基板的特征在于：具備掃描信號(hào)線和數(shù)據(jù)信號(hào)線，在1個(gè)像素區(qū)域中設(shè)有通過(guò)晶體管連接到數(shù)據(jù)信號(hào)線的第1像素電極以及通過(guò)電容連接到該第1像素電極的第2像素電極，上述有源矩陣基板具備與掃描信號(hào)線形成于同層并電連接到第1像素電極的第1電容電極、覆蓋掃描線號(hào)線的第1絕緣膜以及在該第1絕緣膜和第2像素電極之間的層所形成的第2絕緣膜，第1電容電極與第2像素電極隔著第1絕緣膜和第2絕緣膜重疊，由此在第1電容電極與第2像素電極之間形成電容。

在本有源矩陣基板中，形成耦合電容的第1電容電極與第2像素電極隔著第1絕緣膜(例如，柵極絕緣膜)和第2絕緣膜(例如，溝道保護(hù)膜)重疊，因此，可以抑制兩者(第1電容電極和第2像素電極)的短路。另外，第1電容電極連接到與晶體管連接的第1像素電極，因此，可以緩和成為電漂浮的第2像素電極(與暗子像素對(duì)應(yīng)的像素電極)的燒結(jié)。

在本有源矩陣基板中，也可以采用如下結(jié)構(gòu)：第2絕緣膜的厚度小于等于第1絕緣膜的厚度。

在本有源矩陣基板中，也可以采用如下結(jié)構(gòu)：上述第2絕緣膜的與第1電容電極和第2像素電極重疊的部分的厚度比周圍小。

本發(fā)明的有源矩陣基板的特征在于：具備掃描信號(hào)線和數(shù)據(jù)信號(hào)線，在1個(gè)像素區(qū)域中設(shè)有通過(guò)晶體管連接到數(shù)據(jù)信號(hào)線的第1像素電極以及通過(guò)電容連接到該第1像素電極的第2像素電極，上述有源矩陣基板具備與掃描信號(hào)線形成于同層并電連接到第1像素電極的第1電容電極、覆蓋掃描信號(hào)線的第1絕緣膜以及與數(shù)據(jù)信號(hào)線形成于同層并電連接到第2像素電極的第2電容電極，第1電容電極與第2電容電極隔著第1絕緣膜重疊，由此在第1電容電極與第2電容電極之間形成電容。