[發(fā)明專利]氣體洗滌裝置及氣體洗滌方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200980142536.4 | 申請(qǐng)日: | 2009-10-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102217041A | 公開(公告)日: | 2011-10-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金翼年;池映淵 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社三重核心韓國 |
| 主分類號(hào): | H01L21/302 | 分類號(hào): | H01L21/302;H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京華夏博通專利事務(wù)所 11264 | 代理人: | 劉俊 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氣體 洗滌 裝置 方法 | ||
1.一種氣體洗滌裝置,其特征在于,該裝置包括:
一反應(yīng)管,一反應(yīng)氣體通過該反應(yīng)管流入;
一反應(yīng)器,連接至該反應(yīng)管并以等離子體激活該反應(yīng)氣體;以及
一注水口,將水注入該反應(yīng)器中的該等離子體。
2.如權(quán)利要求1所述的氣體洗滌裝置,其特征在于,該注水口為一滴管的形式,以一恒定速率將水滴滴入。
3.如權(quán)利要求1所述的氣體洗滌裝置,其特征在于,該注水口與該反應(yīng)管分隔10厘米至20厘米。
4.如權(quán)利要求1所述的氣體洗滌裝置,其特征在于,該注水口以2毫升/分鐘至10毫升/分鐘的速率注入水。
5.一種氣體洗滌裝置,其特征在于,該裝置包括:
一反應(yīng)管,一反應(yīng)氣體通過該反應(yīng)管流入;
一反應(yīng)器,連接到該反應(yīng)管并以等離子體激活該反應(yīng)氣體;以及
一噴嘴,藉由一外部壓力直接將水注入該反應(yīng)器,
其中,通過該噴嘴注入該反應(yīng)器的水藉由作為一熱源的該等離子體而蒸發(fā),使其與反應(yīng)氣體等離子體反應(yīng)。
6.如權(quán)利要求5所述的氣體洗滌裝置,其特征在于,該噴嘴與該反應(yīng)管分隔10厘米至20厘米。
7.一種氣體洗滌裝置,其特征在于,該裝置包括:
一反應(yīng)管,一反應(yīng)氣體通過該反應(yīng)管流入;
一反應(yīng)器,連接到該反應(yīng)管并以等離子體激活該反應(yīng)氣體;
一管道,與該反應(yīng)器接觸,并灌滿水;以及
一噴嘴,將該管道中由該反應(yīng)器的熱所蒸發(fā)的水注入到該反應(yīng)器。
8.如權(quán)利要求7所述的氣體洗滌裝置,其特征在于,該管道位于該反應(yīng)器的壁內(nèi),從而該反應(yīng)器具有一雙重壁。
9.如權(quán)利要求7所述的氣體洗滌裝置,其特征在于,該噴嘴與該反應(yīng)管分隔10厘米至20厘米。
10.一種氣體洗滌方法,其特征在于,該方法包括:
流動(dòng)于一反應(yīng)氣體中;
以等離子體激活該反應(yīng)氣體;以及
將使用作為一熱源的反應(yīng)氣體等離子體所蒸發(fā)的水注入至該反應(yīng)氣體等離子體,使其與該反應(yīng)氣體等離子體反應(yīng)。
11.如權(quán)利要求10所述的氣體洗滌方法,其特征在于,該水在間隔該反應(yīng)氣體等離子體的一火焰開始點(diǎn)10厘米至20厘米的一位置蒸發(fā)。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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