[發明專利]用于臨時晶片粘合的環烯烴組合物有效
| 申請號: | 200980142330.1 | 申請日: | 2009-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN102203917A | 公開(公告)日: | 2011-09-28 |
| 發明(設計)人: | 洪文斌;白東順;T·D·弗萊;R·普利吉達 | 申請(專利權)人: | 布魯爾科技公司 |
| 主分類號: | H01L21/302 | 分類號: | H01L21/302;H01L21/304 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 郭輝 |
| 地址: | 美國密*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 臨時 晶片 粘合 烯烴 組合 | ||
1.一種晶片粘合方法,它包括:
提供包括通過粘合層粘合在一起的第一基片和第二基片的層疊件,所述粘合層由包含溶解或分散在溶劑體系中的環烯烴共聚物的組合物形成;以及
分離所述第一基片和第二基片。
2.權利要求1所述的方法,進一步包括在所述分離前將所述層疊件加熱到至少約100℃的溫度,以使所述粘合層軟化。
3.權利要求1所述的方法,進一步包括在所述分離前用溶劑溶解所述粘合層。
4.權利要求3所述的方法,所述溶劑選自由檸檬烯、均三甲苯、雙戊烯、蒎烯、雙環己烯、環十二烯、1-叔丁基-3,5-二甲基苯、丁基環己烷、環辛烷、環庚烷、環己烷、甲基環己烷、甲基乙基酮、環戊酮及其混合物組成的組。
5.權利要求1所述的方法,其中所述分離包含對所述第一基片和第二基片的至少一個施加作用力,同時使得所述第一基片和第二基片中的另一個抵御所述作用力,所述施加的作用力大小足以使所述第一基片和第二基片分離。
6.權利要求1所述的方法,進一步包括在所述分離前,使所述層疊件進行選自以下的工藝:背研、金屬鍍覆、圖案化、鈍化、以及它們的組合。
7.權利要求1所述的方法,其中,所述提供層疊件包括:
將粘合組合物應用到第一基片和第二基片的至少一個上;以及
將所述基片與另一基片接觸將所述基片粘合在一起。
8.權利要求1所述的方法,其中:
所述第一基片具有第一表面和遠離所述第一表面的第二表面,并包含至少一個活性位點和多個形貌特征,所述粘合組合物層粘合到所述第二表面;以及
所述第二基片包含粘合到所述粘合組合物層的粘合面。
9.權利要求8所述的方法,其中:
所述形貌特征具有遠離所述第一基片的第一表面的各端面,至少一個端面比其它所述端面更遠離第一基片的第一表面,所述更遠的端面限定出基本上平行于所述第一表面的平面;以及
在所述平面和第二基片粘合面上,所述平面與第二基片上粘合面之間的距離的變化小于約20%。
10.權利要求1所述的方法,所述組合物進一步包含選以下配料:增粘劑、低分子量環烯烴共聚物、增塑劑、抗氧劑、及其混合物。
11.權利要求1所述的方法,其中所述共聚物是由選自
及上述的組合的環烯烴聚合而成,
其中:
每個R1和R2單獨地選自由-H和烷基組成的組;和
每個R3單獨地選自由-H、取代和未取代的芳基、烷基、環烷基、芳烷基、酯基、醚基、乙酰基、醇類、醛基、酮類、腈類、及其組合組成的組。
12.權利要求1所述的方法,其中所述共聚物包含重復單體:
及上述的組合,
其中:
每個R1和R2單獨地選自由-H和烷基組成的組;和
每個R3單獨地選自由-H、取代和未取代的芳基、烷基、環烷基、芳烷基、酯基、醚基、乙酰基、醇類、醛基、酮類、腈類、及其組合組成的組;
和
其中:
-----是單鍵或雙鍵;和
每個R4單獨地選自-H和烷基組成的組。
13.一種制品,包含:
具有背面和活性面的第一基片,所述活性面包含至少一個活性位點和多種形貌特征;
具有粘合面的第二基片;和
粘合到第一基片活性面和第二基片粘合面的粘合層,其中所述粘合層由包含溶解或分散在溶劑體系中的環烯烴共聚物的組合物形成。
14.權利要求13所述的制品,其中:
所述地形特征表示遠離所述第一基片的背面的端面,至少一個端面比其它所述端面更遠離第一基片的背面,所述更遠的端面限定出基本上平行于所述第一表面的平面;以及
在所述平面和第二基片粘合面上,所述平面到所述第二基片上的粘合面的距離變化小于約20%。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





