[發明專利]單晶金屬納米盤及其制備方法

有效

• 申請號: 200980142224.3
• 申請日: 2009-09-22
• 公開（公告）號: CN102216203A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發明（設計）人: 金峯秀;劉永棟
• 申請（專利權）人: 韓國科學技術院
• 主分類號: B82B3/00
• 分類號: B82B3/00
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 張晶

1.一種單晶金屬納米盤的制備方法，其中，在惰性氣體流動條件下，通過在包括金屬、金屬鹵化物或其混合物并且放置于反應器的前部的前體以及放置于所述反應器的后部的單晶基片上進行熱處理而在所述單晶基片上制備所述單晶金屬納米盤。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述單晶金屬納米盤具有多邊形盤狀。

3.如權利要求1所述的方法，其中，所述單晶金屬納米盤在所述單晶基片上外延生長。

4.如權利要求1所述的方法，其中，通過控制其上制備有所述單晶金屬納米盤的所述單晶基片的材料和表面方向來控制所述單晶金屬納米盤的形態、所述單晶金屬納米盤相對于所述單晶基片的表面的方向或其組合。

5.如權利要求4所述的方法，其中，所述單晶基片可以是a({11-20})表面的藍寶石、r({1-102})表面的藍寶石、m({1-100})表面的藍寶石、c({0001})表面的藍寶石、{001}表面的鋁酸鑭(LAO)、{100}表面的鈦酸鍶(STO)或{110}表面的二氧化鈦。

6.如權利要求1所述的方法，其中，所述前體是貴金屬材料，并且在所述單晶基片上形成單晶貴金屬納米盤。

7.如權利要求6所述的方法，其中，所述前體是Au、Pd或其混合物，并且所述前體保持在1200至1300℃，以及所述單晶基片保持在850至1050℃，以便在所述單晶基片上制備Au、Pd或AuPd二元合金納米盤。

8.如權利要求6所述的方法，其中，所述前體是Ag，并且所述前體保持在800至850℃，以及所述單晶基片保持在550至700℃，以便在所述單晶基片上制備Ag納米盤。

9.如權利要求7或8所述的方法，其中，所述惰性氣體以50至150sccm的流率從所述反應器的前部流動至所述反應器的后部。

10.如權利要求9所述的方法，其中，所述熱處理在5至20torr的壓強下執行。

11.如權利要求6所述的方法，其中，所述前體是Pt鹵化物，并且所述前體保持在450至500℃，以及所述單晶基片保持在1000至1050℃，以便在所述單晶基片上制備Pt納米盤。

12.如權利要求11所述的方法，其中，所述惰性氣體以200至400sccm的流率從所述反應器的前部流動至所述反應器的后部。

13.如權利要求1所述的方法，其中，所述前體是過渡金屬材料和過渡金屬鹵化物的混合物，以便在所述單晶基片上制備過渡金屬納米盤或由兩種過渡金屬制成的二元合金納米盤。

14.如權利要求13所述的方法，其中，所述前體是Ni和Ni鹵化物的混合物，或Ni、Ni鹵化物和Co鹵化物的混合物，以便在所述單晶基片上制備Ni納米盤或NiCo二元合金納米盤。

15.如權利要求14所述的方法，其中，所述前體保持在700至900℃，所述單晶基片保持在800至1000℃，并且所述惰性氣體以50至200sccm的流率從所述反應器的前部流動至所述反應器的后部。

16.如權利要求12或15所述的方法，其中，所述熱處理在750至770torr的壓強下執行。

17.一種單晶金屬納米盤，其是在惰性氣體流動條件下，通過在包括金屬、金屬鹵化物或其混合物并且放置于反應器的前部的前體以及放置于所述反應器的后部的單晶基片上進行熱處理而在所述單晶基片上制備的多邊形盤狀單晶體。

18.如權利要求17所述的單晶金屬納米盤，其中，所述金屬納米盤可以是貴金屬納米盤、由兩種貴金屬制成的二元合金納米盤(Ⅰ)、過渡金屬納米盤以及由兩種過渡金屬制成的二元合金納米盤(Ⅱ)。

19.如權利要求17所述的單晶金屬納米盤，其中，所述多邊形盤狀的單晶納米盤是六邊形、五邊形、矩形、三角形、平行四邊形或梯形納米盤。

20.如權利要求17所述的單晶金屬納米盤，其中，所述單晶金屬納米盤具有關于其上形成有所述單晶金屬納米盤的單晶基片的外延關系，并且具有關于所述單晶基片表面的特定方向。

21.如權利要求17所述的單晶金屬納米盤，其中，所述單晶金屬納米盤具有面心立方體(FCC)結構，并且所述單晶金屬納米盤的盤平面是{111}平面，并且所述納米盤的側邊的方向包括<110>方向。