[發(fā)明專利]導(dǎo)電聚合物組合物、觸點(diǎn)、組件和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980142041.1 | 申請日： | 2009-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN102203164A | 公開（公告）日： | 2011-09-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 姜宏;阿齊茲·S·謝克 | 申請（專利權(quán)）人： | 費(fèi)羅公司 |
| 主分類號： | C08G65/00 | 分類號： | C08G65/00 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人： | 金鮮英;馮云 |
| 地址： | 美國俄*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 導(dǎo)電 聚合物 組合 觸點(diǎn) 組件 方法 | ||
1.一種導(dǎo)電可熱固化組合物，其包括：
有效量的導(dǎo)電顆粒；以及
有效量的選自由(i)脂肪酸改性的環(huán)氧丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯單體或低聚物，(ii)脂肪酸改性的聚酯丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯單體或低聚物，以及(iii)(i)與(ii)的組合所組成的組中的選取物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，進(jìn)一步包括：
有效量的反應(yīng)性稀釋劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，進(jìn)一步包括：
有效量的自由基引發(fā)劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述脂肪酸改性的環(huán)氧丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯單體或低聚物在從大約0.1％到大約30％的濃度下使用。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述脂肪酸改性的聚酯丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯單體或低聚物在從大約0.1％到大約30％的濃度下使用。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述(i)脂肪酸改性的環(huán)氧丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯單體或低聚物，與(ii)脂肪酸改性的聚酯丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯單體或低聚物的組合在從大約0.1％到大約30％的濃度下使用。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，進(jìn)一步包括：
環(huán)氧三丙烯酸酯低聚物。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的組合物，其中所述環(huán)氧三丙烯酸酯低聚物是脂肪族的。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的組合物，其中所述環(huán)氧三丙烯酸酯低聚物在從大約0.1％到大約25％的濃度下使用。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的組合物，其中所述反應(yīng)性稀釋劑是己二醇二丙烯酸酯。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的組合物，其中所述己二醇二丙烯酸酯在從大約1％到大約10％的濃度下使用。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的組合物，其中所述己二醇二丙烯酸酯在從大約4％到大約7％的濃度下使用。
13.根據(jù)權(quán)利要求3所述的組合物，其中所述自由基引發(fā)劑選自由(i)2，5-二甲基-2，5-雙(過氧化叔丁基)-3-己炔，(ii)過氧化二枯基和它們的組合所組成的組中。
14.根據(jù)權(quán)利要求3所述的組合物，其中所述自由基引發(fā)劑在從大約0.01％到大約2％的濃度下使用。
15.根據(jù)權(quán)利要求3所述的組合物，其中所述自由基引發(fā)劑在大約0.3％的濃度下使用。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述導(dǎo)電顆粒是金屬顆粒并且選自由銀、金、鈀、鎳和它們的組合所組成的組中。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的組合物，其中所述金屬顆粒是銀。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的組合物，其中所述金屬顆粒在大約70％到大約90％的濃度下使用。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的組合物，其中所述金屬顆粒在大約80％的濃度下使用。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中組合物是不含溶劑的。
21.一種在基板上形成導(dǎo)電層的方法，該方法包括：
形成組合物，該組合物包括(a)任選的反應(yīng)性稀釋劑，(b)選自由(i)脂肪酸改性的環(huán)氧丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯單體或低聚物，(ii)脂肪酸改性的聚酯丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯單體或低聚物，以及(iii)(i)和(ii)的組合所組成的組中的選取物，(c)金屬顆粒，以及(d)自由基引發(fā)劑，
將所述組合物施用在基板上至厚度從大約1微米到大約100微米，
加熱所述被施用的組合物到小于250℃的溫度以形成導(dǎo)電層。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中將所述組合物施用到基板上至厚度從大約10微米到大約70微米。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中將所述組合物施用到基板上至厚度從大約15微米到大約50微米。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中加熱在200℃下進(jìn)行。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中加熱進(jìn)行5秒到20分鐘。
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