[發明專利]清潔腔室及工藝所用的等離子體源

無效

• 申請號: 200980141982.3
• 申請日: 2009-10-19
• 公開（公告）號: CN102197714A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 迪米特里·盧伯米爾斯基;楊長奎;梁奇偉;馬修·L·米勒;詹姆斯·桑托薩;陳興隆;保羅·F·史密斯
• 申請（專利權）人: 應用材料股份有限公司
• 主分類號: H05H1/34
• 分類號: H05H1/34;H05H1/36;H01L21/205;H01L21/3065
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強

1.一種用以處理基板的設備，其包含：

一功率源；

一切換箱，耦接該功率源，該切換箱設有可交換一第一位置與一第二位置的一開關；

一第一匹配箱，耦接該切換箱；

一等離子體產生器，耦接該第一匹配箱；

一第二匹配箱，耦接該切換箱；以及

一遠程等離子體源，耦接該第二匹配箱。

2.根據權利要求1所述的設備，其中該功率源為一交流功率源，適于在約300千赫至約13.56兆赫的一或多個頻率下操作。

3.根據權利要求1所述的設備，其中該功率源施加約1千瓦至約11千瓦的一功率至一等離子體源，且該功率源施加約1千瓦至約11千瓦的一功率至一遠程等離子體源。

4.一種用以處理基板的設備，其包含：

一具一圓頂部分的腔室主體；

一等離子體產生器，置于該腔室主體上；

一遠程等離子體源，置于該腔室主體上；

一切換箱，耦接該等離子體產生器與該遠程等離子體源，該切換箱設有可交換一第一位置與一第二位置的一開關；以及

一第一功率源，耦接該切換箱。

5.根據權利要求4所述的設備，其中該等離子體產生器包含設于該圓頂部分的一上部上的多個第一線圈、以及設于該圓頂部分的一側部上的多個第二線圈。

6.根據權利要求5所述的設備，其中當該開關在該第一位置時，該第一功率源電氣耦接該多個第一線圈。

7.根據權利要求5所述的設備，更包含一第二功率源，耦接該多個第二線圈。

8.根據權利要求4所述的設備，其中該第一功率源為一交流功率源，適于在約300千赫至約13.56兆赫的一或多個頻率下操作，且該第二功率源為一交流功率源，用以在約300千赫至約13.56兆赫的一或多個頻率下操作。

9.根據權利要求5所述的設備，其中當該開關在該第二位置時，該第一功率源電氣耦接所述線圈的遠程等離子體源。

10.根據權利要求4所述的設備，更包含一第一匹配箱以及一第二匹配箱，置于該切換箱與一部分的該等離子體產生器之間、以及一第二匹配箱，置于該切換箱與該遠程等離子體源之間。

11.一種用以處理基板及處理腔室的方法，該方法包含以下步驟：

將一基板放入一處理腔室，且該處理腔室包含：

一腔室主體；

一等離子體源，置于該腔室主體上；

一遠程等離子體源，置于該腔室主體上；

一切換箱，配有耦接該等離子體源與該遠程等離子體源的一第一切換位置與一第二切換位置；以及

一第一功率源，耦接該切換箱；

利用在該第一切換位置的一開關，從該第一功率源施加功率至一部分的一等離子體產生器；

供應一第一處理氣體至該腔室內；

在該腔室中產生該第一處理氣體的一第一等離子體；

利用在該第二切換位置的一開關，從該第一功率源施加功率至一遠程功率源；

供應一第二處理氣體至該遠程等離子體源；

在該遠程等離子體源中產生該第二處理氣體的一第二等離子體；以及

供應該第二處理氣體至該腔室主體。

12.根據權利要求11所述的方法，其中該第一功率源為一交流功率源，用以在約300千赫至約13.56兆赫的一或多個頻率下操作。

13.根據權利要求12所述的方法，其中該第一功率源供應約1千瓦至約11千瓦的一功率至一等離子體產生器，或者該功率源供應約1千瓦至約11千瓦的一功率至一遠程等離子體源。

14.根據權利要求11所述的方法，其中該等離子體產生器包含設于該圓頂部分的一上部上的多個第一線圈、以及設于該圓頂部分的一側部上的多個第二線圈。

15.根據權利要求14所述的方法，更包含一第二功率源，耦接該多個第二線圈。