[發(fā)明專利]具有對角饋線的改善的金屬上金屬電容器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980141970.0 | 申請日: | 2009-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN102197456A | 公開(公告)日: | 2011-09-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | R·赫貝霍爾茨 | 申請(專利權(quán))人: | 劍橋硅無線電通信有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L27/08;H01L23/522;H01L27/02 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 陳松濤;王英 |
| 地址: | 英國*** | 國省代碼: | 英國;GB |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 對角 饋線 改善 金屬 電容器 | ||
1.一種包括多個金屬層的金屬上金屬電容器單元設(shè)計(jì),每一個金屬層包括一設(shè)計(jì),該設(shè)計(jì)包括:
兩組相互交叉的指狀物,其中每一組指狀物包括指狀物的第一子集和指狀物的第二子集,并且其中所述第一子集中的指狀物基本上垂直于所述第二子集中的指狀物;以及
所述第一組指狀物所連接到的成角度的饋線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬上金屬電容器單元設(shè)計(jì),其中所述成角度的饋線包括基本上對角的饋線。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任意一項(xiàng)所述的金屬上金屬電容器單元設(shè)計(jì),其中所述成角度的饋線比所述指狀物中的任意一個更寬。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任意一項(xiàng)所述的金屬上金屬電容器單元設(shè)計(jì),其中所述設(shè)計(jì)在相鄰層之間旋轉(zhuǎn)180°。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任意一項(xiàng)所述的金屬上金屬電容器單元設(shè)計(jì),進(jìn)一步包括多個通孔,以在相鄰層之間提供連接,所述通孔設(shè)置在所述單元的外圍處的指狀物中。
6.一種金屬上金屬電容器設(shè)計(jì),包括多個根據(jù)前述權(quán)利要求中的任意一項(xiàng)所述的單元,設(shè)置成使相鄰單元旋轉(zhuǎn)90°,并且所述金屬上金屬電容器設(shè)計(jì)進(jìn)一步包括頂部金屬層以及設(shè)置用以連接所述多個單元中的每一個單元的多個通孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的金屬上金屬電容器設(shè)計(jì),其中位于所述頂部金屬層中的所述多個通孔與所述成角度的饋線對準(zhǔn)。
8.一種金屬上金屬電容器,包括根據(jù)前述權(quán)利要求中的任意一項(xiàng)所述的金屬上金屬電容器設(shè)計(jì),并且其中相鄰的金屬層通過電介質(zhì)層分隔開。
9.一種金屬上金屬電容器,所述金屬上金屬電容器基本上如參照附圖中的圖2-5中的任意一個所述。
10.一種金屬上金屬電容器設(shè)計(jì),所述金屬上金屬電容器設(shè)計(jì)基本上如參照附圖中的圖2-5中的任意一個所述。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





