[發明專利]光電子半導體器件

有效

• 申請號: 200980141726.4
• 申請日: 2009-09-16
• 公開（公告）號: CN102187484A
• 公開（公告）日: 2011-09-14
• 發明（設計）人: 馬丁·斯特拉斯伯格;盧茨·赫佩爾;馬蒂亞斯·彼得;烏爾里克·策恩德;瀧哲也;安德烈亞斯·萊貝爾;賴納·布滕戴奇;托馬斯·鮑爾
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/40
• 分類號: H01L33/40
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王萍;周濤

1.一種光電子半導體器件，其具有基于氮化物半導體的半導體層序列(3)，該半導體層序列包括n摻雜區域(4)、p摻雜區域(8)和設置在n摻雜區域(4)和p摻雜區域(8)之間的有源區(5)，其中p摻雜區域(8)包括In_xAl_yGa_1-x-yN構成的p接觸層(7)，其中0≤x≤1，0≤y≤1且x+y≤1，該p接觸層與金屬、金屬合金或者透明導電氧化物構成的連接層(9)鄰接，其中p接觸層(7)在朝著連接層(9)的界面上具有帶Ga面取向的第一晶疇(1)以及帶N面取向的第二晶疇(2)。

2.根據權利要求1所述的光電子半導體器件，其中p接觸層(7)在朝著連接層(9)的界面上具有至少10％并且最多90％的帶有Ga面取向的晶疇(1)的面積比。

3.根據權利要求2所述的光電子半導體器件，其中p接觸層(7)在朝著連接層(9)的界面上具有至少40％并且最多70％的帶有Ga面取向的晶疇(1)的面積比。

4.根據上述權利要求之一所述的光電子半導體器件，其中第一晶疇(1)和/或第二晶疇(2)分別具有10nm到5μm的橫向伸展。

5.根據上述權利要求之一所述的光電子半導體器件，其中第二晶疇(2)具有小于1μm的橫向伸展。

6.根據上述權利要求之一所述的光電子半導體器件，其中p接觸層(7)具有大于1×10²⁰cm^-3的摻雜材料濃度。

7.根據上述權利要求之一所述的光電子半導體器件，其中p接觸層(7)的厚度在5nm到200nm之間，其中包括端點值。

8.根據上述權利要求之一所述的光電子半導體器件，其中p接觸層(7)具有30nm或者更小的厚度。

9.根據上述權利要求之一所述的光電子半導體器件，其中有源區(5)是發射輻射的層，并且連接層(9)設置在該器件的輻射出射側上。

10.根據權利要求9所述的光電子半導體器件，其中連接層(9)具有透明導電氧化物。

11.根據權利要求1至8之一所述的光電子半導體器件，其中有源區(5)是發射輻射的層，并且從發射輻射的層(5)來看，該器件的輻射出射側與連接層(9)對置。

12.根據權利要求11所述的光電子半導體器件，其中連接層(9)是金屬或者金屬合金構成的反射層。

13.根據權利要求11所述的光電子半導體器件，其中連接層(9)具有透明導電氧化物。

14.根據權利要求13所述的光電子半導體器件，其中從有源層(5)來看，連接層(9)跟隨有反射層(15)。

15.根據權利要求14所述的光電子半導體器件，其中反射層(15)是介電鏡。