[發(fā)明專利]等離子體CVD裝置、半導(dǎo)體膜的制造方法、薄膜太陽(yáng)能電池的制造方法以及等離子體CVD裝置的清洗方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980141695.2
• 申請(qǐng)日: 2009-10-14
• 公開（公告）號(hào): CN102197158A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山向干雄;折田泰;山林弘也
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C23C16/50
• 分類號(hào): C23C16/50;C23C16/56;H01L31/04
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 許海蘭

1.一種等離子體CVD裝置，其特征在于，具備：

制膜室；

保持構(gòu)件，保持設(shè)置在所述制膜室內(nèi)的被處理基板；

噴頭，設(shè)置在所述制膜室內(nèi)并與所述保持構(gòu)件相向，供給原料氣體并且產(chǎn)生所述原料氣體的等離子體；

自由基生成室，相對(duì)于所述噴頭在與所述保持構(gòu)件相反的一側(cè)設(shè)置，生成處理氣體的自由基；以及

開閉自如的閘門，設(shè)置在所述噴頭與所述自由基生成室之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體CVD裝置，其特征在于，

具備如下構(gòu)造：所述自由基生成室和所述噴頭通過具有多個(gè)開口部的壁而被隔開，所述多個(gè)開口部全都通過所述閘門進(jìn)行開閉。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體CVD裝置，其特征在于，

所述自由基生成室的大小大于所述保持構(gòu)件的大小，

所述多個(gè)開口部在所述壁中分布在與所述保持構(gòu)件同等以上的大小的區(qū)域中。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體CVD裝置，其特征在于，

具備偏壓施加部，該偏壓施加部向所述閘門施加直流偏壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體CVD裝置，其特征在于，

在所述自由基生成室中，利用等離子體來(lái)離解自由基原料氣體，生成所述自由基。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體CVD裝置，其特征在于，

在閉合了所述閘門的狀態(tài)下向所述制膜室內(nèi)供給原料氣體，產(chǎn)生所述原料氣體的等離子體，利用所述等離子體分解所述原料氣體并在所述被處理基板的表面堆積膜而進(jìn)行了制膜之后，開啟所述閘門而將在所述自由基生成室中生成的自由基導(dǎo)入到所述制膜室。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體CVD裝置，其特征在于，

具備清洗氣體供給部，該清洗氣體供給部將用于對(duì)所述制膜室內(nèi)進(jìn)行清洗的清洗氣體供給到所述自由基生成室，

在所述自由基生成室中利用等離子體來(lái)離解所述清洗氣體，生成清洗氣體的自由基。

8.一種半導(dǎo)體膜的制造方法，使用了等離子體CVD裝置，該等離子體CVD裝置具備：制膜室；保持構(gòu)件，保持設(shè)置在所述制膜室內(nèi)的被處理基板；噴頭，設(shè)置在所述制膜室內(nèi)并與所述保持構(gòu)件相向，供給原料氣體并且產(chǎn)生所述原料氣體的等離子體；自由基生成室，相對(duì)于所述噴頭在與所述保持構(gòu)件相反的一側(cè)設(shè)置，生成處理氣體的自由基；以及開閉自如的閘門，設(shè)置在所述噴頭與所述自由基生成室之間，

所述半導(dǎo)體膜的制造方法的特征在于，包括：

第1工序，在真空環(huán)境的所述制膜室內(nèi)，在所述保持構(gòu)件保持了所述被處理基板的狀態(tài)下閉合所述閘門，一邊向所述被處理基板的被制膜面供給所述原料氣體一邊產(chǎn)生所述原料氣體的等離子體，利用所述等離子體來(lái)分解所述原料氣體并堆積到所述被制膜面，從而在所述被制膜面制造所述半導(dǎo)體膜；以及

第2工序，向所述自由基生成室導(dǎo)入自由基原料氣體，在利用等離子體生成自由基之后開啟所述閘門，將所述自由基經(jīng)由所述噴頭而導(dǎo)入到所述制膜室內(nèi)，并在真空環(huán)境中對(duì)所述半導(dǎo)體膜的表面的整個(gè)面照射所述自由基。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體膜的制造方法，其特征在于，

在所述第2工序中，在向所述閘門施加了直流偏壓的狀態(tài)下將所述自由基經(jīng)由所述噴頭導(dǎo)入到所述制膜室內(nèi)。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體膜的制造方法，其特征在于，

在所述第1工序中，制成微晶硅膜作為所述半導(dǎo)體膜，

在所述第2工序中，將氫自由基作為所述自由基而照射到所述微晶硅膜來(lái)實(shí)施鈍化處理。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體膜的制造方法，其特征在于，

在所述第1工序的途中中斷所述微晶硅膜的制膜，實(shí)施所述第2工序的鈍化處理，并再次實(shí)施所述第1工序的所述微晶硅膜的制膜，在結(jié)束所述微晶硅膜的制膜之后，再次實(shí)施所述第2工序的鈍化處理。