[發(fā)明專利]半導體器件和這種器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980141586.0
• 申請日: 2009-10-06
• 公開（公告）號: CN102187466A
• 公開（公告）日: 2011-09-14
• 發(fā)明（設計）人: 簡·雄斯基;安科·黑林格
• 申請（專利權）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種半導體器件，包括襯底(40)，

所述襯底包括：

摻雜有第一導電類型摻雜劑的第一區(qū)域(18)和第二區(qū)域(16)，以及位于所述第一摻雜區(qū)域和所述第二摻雜區(qū)域之間的、摻雜有與第一導電類型相反導電類型摻雜劑的第三區(qū)域(42)，所述第三區(qū)域由電介質層(20)覆蓋，

所述襯底(40)還包括在所述第三區(qū)域(42)和所述第二區(qū)域(16)之間橫向延伸的多個溝槽(12)，所述溝槽填充有絕緣材料并且具有預定深度，并且通過有源條帶(14)間隔開，所述有源條帶包括深度不超過所述預定深度的摻雜分布，其中每一個溝槽(12)通過襯底部分(26)與所述第三區(qū)域(42)間隔開，使得所述襯底部分(26)和所述溝槽(12)之間的各個邊界沒有由所述電介質層(20)覆蓋。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一區(qū)域包括源極區(qū)，所述第二區(qū)域包括漏極區(qū)，以及所述第三區(qū)域包括溝道區(qū)，其中所述有源條帶(14)和相應的襯底部分(26)共同形成所述溝道區(qū)(42)和所述漏極區(qū)(16)之間的漏極延伸區(qū)。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體器件，其中所述第三區(qū)域(42)和所述邊界之間的距離不超過所述有源條帶(14)的寬度。

4.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的半導體器件，其中有源條帶(14)的寬度不超過對于所述有源條帶(14)的摻雜分布的摻雜濃度的一維耗盡寬度。

5.根據(jù)權利要求1至4中任一項所述的半導體器件，其中所述電介質層(20)包括將所述第三摻雜區(qū)域(42)上的第一層區(qū)域(52)與所述溝槽(12)和有源條帶(41)上的第二層區(qū)域(54)間隔開的孔洞(56)，所述孔洞(56)與相應襯底部分(26)和所述溝槽(12)之間的邊界重疊。

6.根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的半導體器件，其中所述絕緣材料具有至少為1的介電常數(shù)。

7.根據(jù)權利要求1至6中任一項所述的半導體器件，其中所述有源條帶(14)是錐形的。

8.一種集成電路，包括根據(jù)權利要求1至7中任一項所述的半導體器件。

9.一種制造半導體器件的方法，包括：

分別在襯底(40)中形成摻雜有第一導電類型摻雜劑的第一區(qū)域(18)和第二區(qū)域(42)、以及第三區(qū)域(16)，所述第三區(qū)域位于所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間、并且摻雜有與第一導電類型相反導電類型的摻雜劑，

在襯底(40)中形成多個在所述第三摻雜區(qū)域(42)和所述第二摻雜區(qū)域(16)之間橫向延伸的溝槽(12)，所述溝槽具有預定的深度、并且限定出所述溝槽之間的多個有源條帶(14)，每一個所述溝槽(12)通過襯底部分(26)與溝道區(qū)域(42)相間隔開；

用絕緣材料填充所述溝槽(12)；

在所述有源條帶(14)中形成相應的摻雜分布，每一個摻雜分布均具有不超過所述預定深度的深度；以及

在所述第三摻雜區(qū)域(42)上形成電介質層(20)，使得所述襯底部分(26)和所述溝槽(12)之間的各個邊界沒有由所述電介質層(20)覆蓋。

10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中所述第三摻雜區(qū)域(42)和所述橫向延伸溝槽(12)之間的距離不超過所述有源條帶(14)的寬度。

11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中所述有源條帶(14)的寬度不超過其中摻雜分布的一維耗盡寬度。

12.根據(jù)權利要求9至11中任一項所述的方法，其中形成電介質層(20)的步驟包括形成包括孔洞(56)的電介質層，所述孔洞覆蓋所述襯底部分(26)和所述溝槽(12)之間的各個邊界，所述孔洞將所述第三摻雜區(qū)域(42)上的第一層區(qū)域(52)與所述溝槽(12)和所述有源條帶(14)上的第二層區(qū)域(54)相間隔開。

13.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中所述第一層區(qū)域(52)與所述第二層區(qū)域(54)斷開。

14.根據(jù)權利要求9至13中任一項所述的方法，其中所述有源條帶(14)是錐形的。