[發明專利]硅系薄膜太陽能電池及其制造方法

有效

• 申請號: 200980140938.0
• 申請日: 2009-10-09
• 公開（公告）號: CN102187471A
• 公開（公告）日: 2011-09-14
• 發明（設計）人: 吉河訓太;市川滿;山本憲治
• 申請（專利權）人: 株式會社鐘化
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 苗堃;趙曦

1.一種混合硅系薄膜太陽能電池的制造方法，其特征在于，是具有非晶硅光電轉換單元和晶體硅光電轉換單元的混合硅系薄膜太陽能電池的制造方法，所述非晶硅光電轉換單元包括：從透光性基板側依次層疊的第1p型層、非晶i型硅光電轉換層和第1n型層，所述晶體硅光電轉換單元包括：第2p型層、晶體i型硅光電轉換層和第2n型層，

在所述晶體i型硅光電轉換層上形成與所述晶體i型硅光電轉換層相接且具有膜厚為1～12nm的n型硅合金層的n型硅系薄膜層，

在所述n型硅系薄膜層上形成作為所述第2n型層的n型微晶硅層。

2.根據權利要求1所述的硅系薄膜太陽能電池的制造方法，其中，所述n型硅系薄膜層通過在所述n型硅合金層上堆積n型非晶硅層而形成。

3.根據權利要求2所述的硅系薄膜太陽能電池的制造方法，其中，所述n型非晶硅層以其膜厚為所述n型硅系薄膜層全體的膜厚的60％以上的方式形成。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的硅系薄膜太陽能電池的制造方法，其中，所述n型硅合金層實質上由選自氧、碳、氮中的1種以上的元素、氫元素和硅元素形成。

5.根據權利要求1～3中任一項所述的硅系薄膜太陽能電池的制造方法，其中，所述n型硅合金層為n型非晶碳化硅層。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的硅系薄膜太陽能電池的制造方法，其中，所述晶體i型硅光電轉換層以0.5nm/秒以上的平均制膜速度形成。

7.一種硅系薄膜太陽能電池，其特征在于，能夠采用權利要求1～6中任一項所述的制造方法得到。

8.根據權利要求7所述的硅系薄膜太陽能電池，其中，對所述晶體i型硅光電轉換層從透光性基板的相反側照射波長633nm的激光而測定的拉曼分光光譜的存在于520cm^-1的峰的峰強度為480～490cm^-1下的平均強度的4.8倍以上。