[發明專利]電容器、電介質結構和形成電介質結構的方法

有效

• 申請號: 200980140913.0
• 申請日: 2009-09-10
• 公開（公告）號: CN102187440A
• 公開（公告）日: 2011-09-14
• 發明（設計）人: 諾埃爾·羅克萊恩;克里斯·M·卡爾森;戴夫·彼得森;楊村宇;普拉文·維迪阿納坦;維什瓦納特·巴特
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種形成電介質結構的方法，其包含：

形成所述電介質結構的第一部分；所述第一部分包含含有第一相和第二相的均質混合物；所述第一相具有大于或等于25的介電常數，且所述第二相具有小于或等于20的介電常數；以及

形成所述電介質結構的第二部分；所述第二部分直接抵靠所述第一部分；所述第二部分由具有大于或等于25的介電常數的組合物組成。

2.根據權利要求1所述的方法，其中在所述第二部分之前形成所述第一部分。

3.根據權利要求1所述的方法，其中在所述第一部分之前形成所述第二部分。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一部分為至少90體積％非晶的，且其中所述第二部分為至少90體積％晶體的。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一部分的所述第一相由不同于所述第二部分的所述組合物的組合物組成。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一部分的所述第一相由與所述第二部分的所述組合物相同的組合物組成。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二部分的所述組合物選自由以下各物組成的群組：ZrO、HfO、TaO、TiO和SrTiO；其中所述化學式指示所述組合物中所含有的元素且并不暗示此些元素的任何特定化學計量。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一部分由選自由以下各物組成的群組的混合物組成：ZrAlO、HfAlO、ZrSiO、HfSiO、ZrHfO、ZrTaO、HfTaO、ZrTiO、HfTiO、TaTiO、HfTaTiO和ZrTaTiO；其中所述化學式指示所述混合物中所含有的元素且并不暗示此些元素的任何特定化學計量。

9.一種形成電介質結構的方法，其包含：

形成所述電介質結構的第一部分；所述第一部分由選自由以下各物組成的群組的混合物組成：ZrAlO、HfAlO、ZrSiO、HfSiO、ZrHfO、ZrTaO、HfTaO、ZrTiO、HfTiO、TaTiO、HfTaTiO和ZrTaTiO；其中所述化學式指示所述混合物中所含有的元素且并不暗示此些元素的任何特定化學計量；以及

形成所述電介質結構的第二部分；所述第二部分由選自由以下各物組成的群組的組合物組成：ZrO、HfO、TaO、TiO和SrTiO；其中所述化學式指示所述組合物中所含有的元素且并不暗示此些元素的任何特定化學計量。

10.根據權利要求9所述的方法，其中在所述第二部分之前形成所述第一部分。

11.根據權利要求9所述的方法，其中在所述第一部分之前形成所述第二部分。

12.一種形成電介質結構的方法，其包含：

形成所述電介質結構的第一部分；所述第一部分包含兩種氧化物的均質混合物；所述第一部分的所述混合物的所述兩種氧化物中的一者具有大于或等于25的介電常數，且所述第一部分的所述混合物的所述兩種氧化物中的另一者具有小于或等于20的介電常數；

在所述第一部分上方并直接抵靠所述第一部分而形成所述電介質結構的第二部分；所述第二部分由具有大于或等于25的介電常數的組合物組成；

在所述第二部分上方并直接抵靠所述第二部分而形成所述電介質結構的第三部分；所述第三部分包含兩種氧化物的均質混合物；所述第三部分的所述混合物的所述兩種氧化物中的一者具有大于或等于25的介電常數，且所述第三部分的所述混合物的所述兩種氧化物中的另一者具有小于或等于20的介電常數；且

其中所述第一和第三部分比所述第二部分更呈非晶。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述第一和第三部分的組成彼此相同。

14.根據權利要求12所述的方法，其中所述第一和第三部分的組成彼此不同。

15.一種電介質結構，其包含：

第一部分；所述第一部分為至少90體積％非晶的且包含含有第一相和第二相的均質混合物；所述第一相具有大于或等于25的介電常數，且所述第二相具有小于或等于20的介電常數；以及

第二部分，其直接抵靠所述第一部分；所述第二部分為至少90體積％晶體的且由具有大于或等于25的介電常數的組合物組成。