[發明專利]用于測量磁場的方向和/或強度的裝置無效
| 申請號: | 200980140761.4 | 申請日: | 2009-08-13 |
| 公開(公告)號: | CN102187240A | 公開(公告)日: | 2011-09-14 |
| 發明(設計)人: | F·沙茨 | 申請(專利權)人: | 羅伯特·博世有限公司 |
| 主分類號: | G01R33/02 | 分類號: | G01R33/02;G01R33/04;G01R33/07 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 曾立 |
| 地址: | 德國斯*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 測量 磁場 方向 強度 裝置 | ||
1.用于測量磁場的方向和/或強度的裝置,包含用于檢測第一空間方向上的第一磁場分量的第一傳感器(12,13,14),用于檢測第二空間方向上的第二磁場分量的第二傳感器(12,13,14)和用于檢測第三空間方向上的第三磁場分量的第三傳感器(12,13,14),其特征在于,所述第一傳感器包含至少一個霍爾傳感器(12),并且所述第二傳感器和/或所述第三傳感器包含至少一個磁通門傳感器(13,14)。
2.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,至少所述第一傳感器、所述第二傳感器和所述第三傳感器(12,13,14)設置在一個襯底上。
3.根據權利要求2所述的裝置,其特征在于,在所述襯底上設置有至少一個另外的電子部件(16)。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的裝置,其特征在于,所述襯底被構造為半導體襯底并且這些傳感器(12,13,14)是通過CMOS工藝制造的。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的裝置,其特征在于,至少一個磁通門傳感器(13,14)是通過平面線圈技術或3D微線圈技術構造的。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的裝置,其特征在于,至少一個磁通門傳感器(13,14)包含芯,所述芯是借助于氣相沉積以及隨后的結構化構造的。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的裝置,其特征在于,設有至少兩個磁通門傳感器(13,14),所述至少兩個磁通門傳感器被設置用于測量彼此正交的方向上的磁場。
8.移動電話,具有根據權利要求1至7中任一項所述的裝置。
9.根據權利要求1至7中任一項所述的裝置的應用,用于測量地磁場的方向和/或強度。
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