[發明專利]用于薄膜沉積的鈮和釩有機金屬前體

有效

• 申請號: 200980139579.7
• 申請日: 2009-10-06
• 公開（公告）號: CN102177163A
• 公開（公告）日: 2011-09-07
• 發明（設計）人: N·布拉斯科;A·克雷亞-安娜克萊托;A·潘沙爾;A·曹納
• 申請（專利權）人: 喬治洛德方法研究和開發液化空氣有限公司
• 主分類號: C07F9/00
• 分類號: C07F9/00;C23C16/18
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 林柏楠;李穎

1.式Cp(R¹)_mM(NR²₂)₂(＝NR³)(I)的化合物：

其中：

M是獨立地選自釩(V)或鈮(Nb)的金屬，且m≤5；

R¹是有機配體，各自獨立地選自H、包含1至6個碳原子的直鏈或支化烴基；

R²是有機配體，各自獨立地選自H、包含1至6個碳原子的直鏈或支化烴基；

R³是有機配體，選自H、包含1至6個碳原子的直鏈或支化烴基。

2.根據權利要求1的化合物，其中：

R¹選自H、包含1至4個碳原子的烷基，優選地，R¹是H或甲基或乙基或異丙基或叔丁基；

R²是包含1至3個碳原子的烷基，更優選地，R²是含1或2個碳原子的烷基；且

R³是含3或4個碳原子的烷基，更優選地，R³是異丙基或叔丁基。

3.根據權利要求1或2的化合物，其中各R¹彼此不同且各R²彼此不同。

4.根據權利要求1至3之一的化合物，其中式(I)中的m＝0。

5.下列化合物：

(Cp)V(＝NtBu)(NEt₂)₂

(Cp)V(＝NtBu)(NMe₂)₂

(Cp)V(＝NtBu)(N(EtMe)₂

(Cp)V(＝NiPr)(NEt₂)₂

(Cp)V(＝NiPr)(NMe₂)₂

(Cp)V(＝NiPr)(NEtMe)₂

(Cp)V(＝NC₅H₁₁)(NEt₂)₂

(Cp)V(＝NC₅H₁₁)(NMe₂)₂

(Cp)V(＝NC₅H₁₁)(NEtMe)₂

(Cp)Nb(＝NtBu)(NEt₂)₂

(Cp)Nb(＝NtBu)(NMe₂)₂

(Cp)Nb(＝NtBu)(N(EtMe)₂

(Cp)Nb(＝NiPr)(NEt₂)₂

(Cp)Nb(＝NiPr)(NMe₂)₂

(Cp)Nb(＝NiPr)(NEtMe)₂

(Cp)Nb(＝NC₅H₁₁)(NEt₂)₂

(Cp)Nb(＝NC₅H₁₁)(NMe₂)₂

(Cp)Nb(＝NC₅H₁₁)(NEtMe)₂。

6.在基底上形成含金屬的層的方法，該方法包括至少下列步驟：

a)提供包含至少一種權利要求1至5之一的式(I)的前體化合物的蒸氣；

b)根據沉積法，使包含所述至少一種式(I)的化合物的所述蒸氣與基底反應以在所述基底的至少一個表面上形成含金屬絡合物的層。

7.權利要求6的方法，其中所述沉積法是原子層沉積法。

8.權利要求6的方法，其中所述沉積法是化學氣相沉積法。