[發明專利]碳化硅半導體器件

無效

• 申請號: 200980139350.3
• 申請日: 2009-08-07
• 公開（公告）號: CN102171827A
• 公開（公告）日: 2011-08-31
• 發明（設計）人: 原田真;玉祖秀人;畑山智亮
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社;國立大學法人奈良先端科學技術大學院大學
• 主分類號: H01L29/12
• 分類號: H01L29/12;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/337;H01L29/417;H01L29/78;H01L29/808
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 孫志湧;穆德駿

1.一種碳化硅半導體器件(1)，包括：

第一導電類型的襯底(2)，所述第一導電類型的襯底(2)由碳化硅制成且具有5×10³cm^-2或更小的位錯密度；以及

雜質層(25、36、54)，所述雜質層(25、36、54)被形成在所述襯底(2)上，具有與所述第一導電類型不同的第二導電類型的導電性雜質的濃度為1×10²⁰cm^-3或更大且5×10²¹cm^-3或更小。

2.如權利要求1所述的碳化硅半導體器件(1)，其中，

所述襯底(2)的位錯密度為1×10³cm^-2或更小。

3.如權利要求1所述的碳化硅半導體器件(1)，其中，

所述襯底(2)的螺旋位錯密度為1cm^-2或更小。

4.如權利要求3所述的碳化硅半導體器件(1)，其中，

所述襯底(2)的螺旋位錯密度為0.1cm^-2或更小。

5.如權利要求1所述的碳化硅半導體器件(1)，其中，

在所述雜質層(25、36、54)中的具有所述第二導電類型的導電性雜質的濃度為4×10²⁰cm^-3或更大且5×10²¹cm^-3或更小。

6.如權利要求1所述的碳化硅半導體器件(1)，包括：

歐姆電極(11、55)，所述歐姆電極(11、55)被形成為與所述雜質層(25、36、54)相接觸；以及

另一歐姆電極(12、58)，所述另一歐姆電極(12、58)被形成為與所述襯底(2)相接觸，

其中，形成所述歐姆電極(11、55)的材料與形成所述另一歐姆電極(12、58)的材料相同。

7.如權利要求6所述的碳化硅半導體器件(1)，其中，

形成所述歐姆電極(11、55)和所述另一歐姆電極(12、58)中的每個歐姆電極的材料包含鎳。

8.如權利要求6所述的碳化硅半導體器件(1)，其中，

形成所述歐姆電極(11、55)和所述另一歐姆電極(12、58)中的每個歐姆電極的材料包含鈦和鋁。